{"id":1401,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/4%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:47","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:47","slug":"4%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/product\/4\u2033-gallium-oxide-substrates\/","title":{"rendered":"4 \"Galliumoxidsubstrate"},"content":{"rendered":"
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Semizelle<\/em> stellt stolz seine vor 4 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong>, ein bahnbrechendes Material, das konstruiert ist, um die wachsenden Anforderungen von Hochleistungs-Halbleiter-Ger\u00e4ten zu erf\u00fcllen. Galliumoxid (Ga2<\/sub>O3<\/sub>) Substrate bieten eine ultra-weite Bandl\u00fccke, mit der sie ideal f\u00fcr die Stromversorgung der n\u00e4chsten Generation, die UV-Optoelektronik und die Hochfrequenzger\u00e4te sind.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Schl\u00fcsselmerkmale:<\/strong><\/span><\/p>\n

<\/strong>\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022 Ultra-Wide Bandgap<\/strong>: Der 4 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong> Aufgrund einer Bandl\u00fccke von ungef\u00e4hr 4,8 EV, die eine au\u00dfergew\u00f6hnliche Spannung und Temperaturtoleranz erm\u00f6glicht und herk\u00f6mmliche Halbleitermaterialien wie Silizium erheblich \u00fcbertrifft.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Hohe Breakdown -Spannung<\/strong>: Diese Substrate erm\u00f6glichen es Ger\u00e4ten, mit h\u00f6heren Spannungen und Kr\u00e4ften zu arbeiten, was sie perfekt f\u00fcr Hochspannungsanwendungen in der Stromversorgungselektronik perfekt macht.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>\u00dcberlegene thermische Stabilit\u00e4t<\/strong>: Galliumoxidsubstrate bieten eine hervorragende thermische Leitf\u00e4higkeit, um eine stabile Leistung unter extremen Bedingungen zu gew\u00e4hrleisten, die ideal f\u00fcr die Verwendung in anspruchsvollen Umgebungen.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Hohe Materialqualit\u00e4t<\/strong>: Mit niedrigen Defektdichten und hoher Kristallqualit\u00e4t gew\u00e4hrleisten diese Substrate eine zuverl\u00e4ssige und konsistente Leistung, wodurch die Effizienz und Haltbarkeit Ihrer Ger\u00e4te verbessert wird.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Vielseitige Anwendung<\/strong>: Geeignet f\u00fcr eine Vielzahl von Anwendungen, einschlie\u00dflich Stromtransistoren, Schottky-Dioden und UV-C-LED-Ger\u00e4ten, die Innovationen sowohl in der Leistung als auch in optoelektronischen Feldern erm\u00f6glichen.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Erkunden Sie die Zukunft der Halbleitertechnologie mit Semizera's 4 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong>. Unsere Substrate sind so konzipiert, dass sie die fortschrittlichsten Anwendungen unterst\u00fctzen und die Zuverl\u00e4ssigkeit und Effizienz bieten, die f\u00fcr die heutigen modernsten Ger\u00e4te erforderlich sind. Vertrauen Sie Semizera f\u00fcr Qualit\u00e4t und Innovation in Ihren Halbleitermaterialien.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Artikel<\/p>\n<\/td>\n

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Produktion<\/p>\n<\/td>\n

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Forschung<\/p>\n<\/td>\n

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Dummy<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kristallparameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytype<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenorientierungsfehler<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Elektrische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dopant<\/p>\n<\/td>\n

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Stickstoff vom Typ N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Widerstand<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0.025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mechanische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dicke<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache Orientierung<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache L\u00e4nge<\/p>\n<\/td>\n

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47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Sekund\u00e4re flache<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Ttv<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bogen<\/p>\n<\/td>\n

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-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kette<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Front (Si-Face) Rauheit (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Struktur<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mikropipe -Dichte<\/p>\n<\/td>\n

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<1 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Metallverunreinigungen<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPD<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front<\/p>\n<\/td>\n

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Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenbeschaffung<\/p>\n<\/td>\n

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Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Partikel<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/Wafer (Gr\u00f6\u00dfe \u2265 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm. Kumulative L\u00e4nge \u2264 Diameter<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orangenschale\/Pits\/Flecken\/Streifen\/Risse\/Kontamination<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kantenchips\/Eingeweide\/Fraktur-\/Sechskantplatten<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytyperbereiche<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 2010TP3T<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontlasermarkierung<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckbeschluss<\/p>\n<\/td>\n

\n

C-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm, kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenfehler (Kantenchips\/Eingebiete)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenrauheit<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckmarkierung von Laser<\/p>\n<\/td>\n

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1 mm (von der Oberkante)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rand<\/p>\n<\/td>\n

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Chamfer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n

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Epi-ready with vacuum packaging<\/p>\n

Multi-wafer cassette packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Notes\uff1a \u201cNA\u201d means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"SiC <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

4 \u2033 Galliumoxidsubstrate-Entsperren Sie neue Effizienz- und Leistungspegel in Leistungselektronik und UV-Ger\u00e4ten mit hochwertigen 4-Zoll-Galliumoxid-Substraten von Semicera, die f\u00fcr modernste Halbleiteranwendungen ausgelegt sind.<\/p>","protected":false},"featured_media":725,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[54,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1401","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-gallium-oxide-ga203","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1401","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1401"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/725"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1401"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1401"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1401"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1401"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}