{"id":1402,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/2%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:47","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:47","slug":"2%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/product\/2\u2033-gallium-oxide-substrates\/","title":{"rendered":"2 \"Galliumoxidsubstrate"},"content":{"rendered":"
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Semizelle<\/em> freut sich zu bieten 2 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong>, ein modernes Material zur Verbesserung der Leistung fortschrittlicher Halbleiterger\u00e4te. Diese Substrate, hergestellt aus Galliumoxid (GA2<\/sub>O3<\/sub>) verf\u00fcgen \u00fcber eine ultra-weite Bandl\u00fccke, die sie zu einer idealen Wahl f\u00fcr Hochleistungs-, Hochfrequenz- und UV-optoelektronische Anwendungen macht.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Schl\u00fcsselmerkmale:<\/strong><\/span><\/p>\n

<\/strong>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0 Ultra-Wide Bandgap<\/strong>: Der 2 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong> Stellen Sie eine ausstehende Bandl\u00fccke von ca. 4,8 EV bereit, die einen h\u00f6heren Spannungs- und Temperaturbetrieb erm\u00f6glichen, was die F\u00e4higkeiten herk\u00f6mmlicher Halbleitermaterialien wie Silizium weit \u00fcberschreitet.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Au\u00dfergew\u00f6hnliche Breakdown -Spannung<\/strong>: Diese Substrate erm\u00f6glichen es Ger\u00e4ten, deutlich h\u00f6here Spannungen zu bew\u00e4ltigen, was sie perfekt f\u00fcr die Leistungselektronik, insbesondere in Hochspannungsanwendungen, perfekt umgehen.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Ausgezeichnete thermische Leitf\u00e4higkeit<\/strong>: Mit \u00fcberlegener thermischer Stabilit\u00e4t behalten diese Substrate auch in extremen thermischen Umgebungen eine konsistente Leistung bei, ideal f\u00fcr Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Hochwertiges Material<\/strong>: Der 2 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong> Bieten Sie niedrige Defektdichten und hohe kristalline Qualit\u00e4t an, um die zuverl\u00e4ssige und effiziente Leistung Ihrer Halbleiterger\u00e4te zu gew\u00e4hrleisten.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Vielseitige Anwendungen<\/strong>: Diese Substrate eignen sich f\u00fcr eine Reihe von Anwendungen, darunter Stromtransistoren, Schottky-Dioden und UV-C-LED-Ger\u00e4te und bieten eine robuste Grundlage f\u00fcr Kraft- und optoelektronische Innovationen.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Schalten Sie das volle Potenzial Ihrer Halbleiterger\u00e4te mit Semizerien frei 2 \"Galliumoxidsubstrate<\/strong>. Unsere Substrate sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen der heutigen fortschrittlichen Anwendungen entsprechen und hohe Leistung, Zuverl\u00e4ssigkeit und Effizienz gew\u00e4hrleisten. W\u00e4hlen Sie Semizera f\u00fcr hochmoderne Halbleitermaterialien, die Innovationen vorantreiben.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Artikel<\/p>\n<\/td>\n

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Produktion<\/p>\n<\/td>\n

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Forschung<\/p>\n<\/td>\n

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Dummy<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kristallparameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytype<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenorientierungsfehler<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Elektrische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dopant<\/p>\n<\/td>\n

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Stickstoff vom Typ N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Widerstand<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0.025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mechanische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dicke<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache Orientierung<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache L\u00e4nge<\/p>\n<\/td>\n

\n

47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Sekund\u00e4re flache<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Ttv<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bogen<\/p>\n<\/td>\n

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-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kette<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Front (Si-Face) Rauheit (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Struktur<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mikropipe -Dichte<\/p>\n<\/td>\n

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<1 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Metallverunreinigungen<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPD<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Front<\/p>\n<\/td>\n

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Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenbeschaffung<\/p>\n<\/td>\n

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Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Partikel<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/Wafer (Gr\u00f6\u00dfe \u2265 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm. Kumulative L\u00e4nge \u2264 Diameter<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orangenschale\/Pits\/Flecken\/Streifen\/Risse\/Kontamination<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kantenchips\/Eingeweide\/Fraktur-\/Sechskantplatten<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytyperbereiche<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 2010TP3T<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontlasermarkierung<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckbeschluss<\/p>\n<\/td>\n

\n

C-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm, kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenfehler (Kantenchips\/Eingebiete)<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenrauheit<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckmarkierung von Laser<\/p>\n<\/td>\n

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1 mm (von der Oberkante)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n

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Chamfer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n

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Epi-ready with vacuum packaging<\/p>\n

Multi-wafer cassette packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Notes\uff1a \u201cNA\u201d means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"SiC <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

2 \"Galliumoxidsubstrate-Optimieren Sie Ihre Halbleiterger\u00e4te mit hochwertigen 2-Zoll-Galliumoxid-Substraten von Semicera, die f\u00fcr die \u00fcberlegene Leistung in der Leistungselektronik und UV-Anwendungen entwickelt wurden.<\/p>","protected":false},"featured_media":758,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[22,21],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1402","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-porous-graphite","7":"product_cat-specialty-graphite","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1402","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1402"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/758"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1402"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1402"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1402"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1402"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}