{"id":1413,"date":"2025-09-11T05:29:00","date_gmt":"2025-09-11T05:29:00","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/p-type-sic-substrate-wafer\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:36","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:36","slug":"p-type-sic-substrate-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/product\/p-type-sic-substrate-wafer\/","title":{"rendered":"P-Typ-SIC-Substratwafer"},"content":{"rendered":"
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Das SIC-Substrat-Wafer vom P-Typ von Semicera ist eine Schl\u00fcsselkomponente f\u00fcr die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Ger\u00e4te. Diese Wafer sind speziell entwickelt, um eine verbesserte Leistung in Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen zu bieten und die wachsende Nachfrage nach effizienten und langlebigen Komponenten zu unterst\u00fctzen.<\/p>\n

Das P-Typ-Doping in unseren SIC-Wafern sorgt f\u00fcr eine verbesserte elektrische Leitf\u00e4higkeit und Ladungstr\u00e4germobilit\u00e4t. Dies macht sie besonders geeignet f\u00fcr Anwendungen in Leistungselektronik, LEDs und Photovoltaikzellen, bei denen niedriger Stromverlust und hohe Effizienz kritisch sind.<\/p>\n

Semiceras P-Typ-Wafer werden mit den h\u00f6chsten Pr\u00e4zisionsnormen und Qualit\u00e4tsnormen hergestellt und bieten eine hervorragende Oberfl\u00e4chengleichm\u00e4\u00dfigkeit und minimale Defektraten. Diese Merkmale sind f\u00fcr Branchen von entscheidender Bedeutung, in denen Konsistenz und Zuverl\u00e4ssigkeit wesentlich sind, wie z. B. Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und erneuerbare Energien.<\/p>\n

Semiceras Engagement f\u00fcr Innovation und Exzellenz zeigt sich in unserem SIC-Substrat-Wafer vom P-Typ. Durch die Integration dieser Wafer in Ihren Produktionsprozess stellen Sie sicher, dass Ihre Ger\u00e4te von den au\u00dfergew\u00f6hnlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften von SIC profitieren, sodass sie unter schwierigen Bedingungen effektiv arbeiten k\u00f6nnen.<\/p>\n

Das Investieren in das SIC-Substrat-Wafer vom P-Typ des Semizeras bedeutet, ein Produkt auszuw\u00e4hlen, das die modernste Materialwissenschaft mit sorgf\u00e4ltiger Ingenieurwesen kombiniert. Semicera unterst\u00fctzt die n\u00e4chste Generation elektronischer und optoelektronischer Technologien und bietet die wesentlichen Komponenten, die f\u00fcr Ihren Erfolg in der Halbleiterindustrie ben\u00f6tigt werden.<\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Artikel<\/p>\n<\/td>\n

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Produktion<\/p>\n<\/td>\n

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Forschung<\/p>\n<\/td>\n

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Dummy<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kristallparameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytype<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenorientierungsfehler<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Elektrische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dopant<\/p>\n<\/td>\n

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Stickstoff vom Typ N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Widerstand<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0.025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mechanische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dicke<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache Orientierung<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache L\u00e4nge<\/p>\n<\/td>\n

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47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Sekund\u00e4re flache<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Ttv<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Bogen<\/p>\n<\/td>\n

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-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kette<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Front (Si-Face) Rauheit (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Struktur<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mikropipe -Dichte<\/p>\n<\/td>\n

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<1 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Metallverunreinigungen<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPD<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front<\/p>\n<\/td>\n

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Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenbeschaffung<\/p>\n<\/td>\n

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Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Partikel<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/Wafer (Gr\u00f6\u00dfe \u2265 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm. Kumulative L\u00e4nge \u2264 Diameter<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orangenschale\/Pits\/Flecken\/Streifen\/Risse\/Kontamination<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kantenchips\/Eingeweide\/Fraktur-\/Sechskantplatten<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytyperbereiche<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 2010TP3T<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontlasermarkierung<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckbeschluss<\/p>\n<\/td>\n

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C-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm, kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenfehler (Kantenchips\/Eingebiete)<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenrauheit<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckmarkierung von Laser<\/p>\n<\/td>\n

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1 mm (von der Oberkante)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n

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Chamfer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n

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Epi-ready with vacuum packaging<\/p>\n

Multi-wafer cassette packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Notes\uff1a \u201cNA\u201d means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"SiC <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Das SIC-Substrat-Wafer vom SIC-Typ des Semicera ist f\u00fcr \u00fcberlegene elektronische und optoelektronische Anwendungen konstruiert. Diese Wafer bieten eine au\u00dfergew\u00f6hnliche Leitf\u00e4higkeit und thermische Stabilit\u00e4t, wodurch sie ideal f\u00fcr Hochleistungsger\u00e4te sind. Erwarten Sie mit Semizera Pr\u00e4zision und Zuverl\u00e4ssigkeit in Ihrem P-Typ-SIC-Substrat.<\/p>","protected":false},"featured_media":1110,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[31,42],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1413","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-more-ceramic-products","7":"product_cat-silicon-nitride-ceramic","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1413","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1413"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1110"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1413"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1413"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1413"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1413"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}