{"id":1415,"date":"2025-09-11T05:29:00","date_gmt":"2025-09-11T05:29:00","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/8-inch-n-type-sic-wafer\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:37","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:37","slug":"8-inch-n-type-sic-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/product\/8-inch-n-type-sic-wafer\/","title":{"rendered":"8-Zoll-N-SIC-Wafer"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n

Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafer stehen an der Spitze der Halbleiterinnovation und bieten eine solide Basis f\u00fcr die Entwicklung elektronischer Hochleistungsger\u00e4te. Diese Wafer sind so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen erf\u00fcllen, von Stromeelektronik bis hin zu Hochfrequenzschaltungen.<\/span><\/p>\n

Das N-Typ-Doping in diesen SiC-Wafern verbessert ihre elektrische Leitf\u00e4higkeit und macht sie ideal f\u00fcr eine Vielzahl von Anwendungen, einschlie\u00dflich Leistungsdioden, Transistoren und Verst\u00e4rker. Die \u00fcberlegene Leitf\u00e4higkeit sorgt f\u00fcr einen minimalen Energieverlust und einen effizienten Betrieb, der f\u00fcr Ger\u00e4te, die bei hohen Frequenzen und Leistungsniveaus betrieben werden, von entscheidender Bedeutung sind.<\/span><\/p>\n

Semizera setzt fortschrittliche Fertigungstechniken ein, um SIC -Wafer mit au\u00dfergew\u00f6hnlicher Oberfl\u00e4chengleichm\u00e4\u00dfigkeit und minimaler Defekte herzustellen. Diese Pr\u00e4zision ist f\u00fcr Anwendungen, die eine konsistente Leistung und Haltbarkeit erfordern, von wesentlicher Bedeutung, z. B. in der Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Telekommunikationsbranche.<\/span><\/p>\n

Durch die Einbeziehung von Semiceras 8-Zoll-SIC-Wafern in Ihre Produktionslinie ist die Grundlage f\u00fcr die Erstellung von Komponenten, die harte Umgebungen und hohe Temperaturen standhalten k\u00f6nnen. Diese Wafer eignen sich perfekt f\u00fcr Anwendungen in der Stromumwandlung, der HF -Technologie und anderer anspruchsvoller Bereiche.<\/span><\/p>\n

Die Wahl von Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafern bedeutet, in ein Produkt zu investieren, das qualitativ hochwertige Materialwissenschaften mit pr\u00e4ziser Ingenieurwesen kombiniert. Semicera ist verpflichtet, die F\u00e4higkeiten von Halbleitertechnologien voranzutreiben und L\u00f6sungen anzubieten, die die Effizienz und Zuverl\u00e4ssigkeit Ihrer elektronischen Ger\u00e4te verbessern.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

Artikel<\/p>\n<\/td>\n

\n

Produktion<\/p>\n<\/td>\n

\n

Forschung<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dummy<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kristallparameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Polytype<\/p>\n<\/td>\n

\n

4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oberfl\u00e4chenorientierungsfehler<\/p>\n<\/td>\n

\n

4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Elektrische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Dopant<\/p>\n<\/td>\n

\n

Stickstoff vom Typ N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Widerstand<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,015-0.025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Mechanische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

\n

150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Dicke<\/p>\n<\/td>\n

\n

350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Prim\u00e4re flache Orientierung<\/p>\n<\/td>\n

\n

[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Prim\u00e4re flache L\u00e4nge<\/p>\n<\/td>\n

\n

47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Sekund\u00e4re flache<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ttv<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bogen<\/p>\n<\/td>\n

\n

-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kette<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front (Si-Face) Rauheit (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Struktur<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Mikropipe -Dichte<\/p>\n<\/td>\n

\n

<1 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<15 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Metallverunreinigungen<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Frontqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oberfl\u00e4chenbeschaffung<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Partikel<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226460ea\/Wafer (Gr\u00f6\u00dfe \u2265 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm. Kumulative L\u00e4nge \u2264 Diameter<\/p>\n<\/td>\n

\n

Kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Orangenschale\/Pits\/Flecken\/Streifen\/Risse\/Kontamination<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kantenchips\/Eingeweide\/Fraktur-\/Sechskantplatten<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Polytyperbereiche<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n

\n

Kumulative Fl\u00e4che \u2264 2010TP3T<\/p>\n<\/td>\n

\n

Kumulative Fl\u00e4che \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Frontlasermarkierung<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckbeschluss<\/p>\n<\/td>\n

\n

C-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm, kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenfehler (Kantenchips\/Eingebiete)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenrauheit<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckmarkierung von Laser<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (von der Oberkante)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rand<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rand<\/p>\n<\/td>\n

\n

Chamfer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Packaging<\/p>\n<\/td>\n

\n

Epi-ready with vacuum packaging<\/p>\n

Multi-wafer cassette packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

*Notes\uff1a \u201cNA\u201d means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"SiC <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafer werden f\u00fcr hochmoderne Anwendungen in Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik entwickelt. Diese Wafer bieten \u00fcberlegene elektrische und thermische Eigenschaften und gew\u00e4hrleisten eine effiziente Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Semicera liefert Innovation und Zuverl\u00e4ssigkeit in Halbleitermaterialien.<\/p>","protected":false},"featured_media":1053,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[31,42],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1415","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-more-ceramic-products","7":"product_cat-silicon-nitride-ceramic","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1415","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1415"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1053"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1415"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1415"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1415"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1415"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}