{"id":1418,"date":"2025-09-11T05:29:00","date_gmt":"2025-09-11T05:29:00","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/4-inch-high-purity-semi-insulating-hpsi-sic-double-side-polished-wafer-substrate\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:38","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:38","slug":"4-inch-high-purity-semi-insulating-hpsi-sic-double-side-polished-wafer-substrate","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/product\/4-inch-high-purity-semi-insulating-hpsi-sic-double-side-polished-wafer-substrate\/","title":{"rendered":"4 Zoll hochreines Semi-insidierter HPSI SIC Double Side Polished Wafer Substrat"},"content":{"rendered":"
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Semiceras 4-Zoll-Hochreinheit Semi-Insidat (HPSI) sic-doppelte polierte Wafer-Substrate werden so gestaltet, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht werden. Diese Substrate sind mit au\u00dfergew\u00f6hnlicher Flachheit und Reinheit konzipiert und bieten eine optimale Plattform f\u00fcr hochmoderne elektronische Ger\u00e4te.<\/span><\/p>\n

Diese HPSI-Wafer zeichnen sich durch ihre \u00fcberlegenen thermischen Leitf\u00e4higkeit und elektrischen Isolationseigenschaften aus, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl f\u00fcr hochfrequente und hohe Leistungsanwendungen macht. Der doppelte Polierprozess sorgt f\u00fcr eine minimale Oberfl\u00e4chenrauheit, was f\u00fcr die Verbesserung der Ger\u00e4teleistung und der Langlebigkeit von entscheidender Bedeutung ist.<\/span><\/p>\n

Die hohe Reinheit der SIC -Wafer von Semicera minimiert Defekte und Verunreinigungen, was zu h\u00f6heren Renditen und der Zuverl\u00e4ssigkeit der Ger\u00e4te f\u00fchrt. Diese Substrate eignen sich f\u00fcr eine Vielzahl von Anwendungen, einschlie\u00dflich Mikrowellenger\u00e4ten, Leistungselektronik und LED -Technologien, bei denen Pr\u00e4zision und Haltbarkeit unerl\u00e4sslich sind.<\/span><\/p>\n

Mit dem Fokus auf Innovation und Qualit\u00e4t nutzt Semizera fortschrittliche Fertigungstechniken, um Wafer zu erstellen, die den strengen Anforderungen der modernen Elektronik entsprechen. Das doppelseitige Polieren verbessert nicht nur die mechanische St\u00e4rke, sondern erleichtert auch eine bessere Integration in andere Halbleitermaterialien.<\/span><\/p>\n

Durch die Auswahl von Semiceras 4-Zoll-HPSI-HPSI-doppelten polierten Wafer-Substraten k\u00f6nnen die Hersteller die Vorteile eines verbesserten thermischen Managements und der elektrischen Isolierung nutzen und den Weg f\u00fcr die Entwicklung effizientere und leistungsstarke elektronische Ger\u00e4te ebnen. Semizera f\u00fchrt die Branche weiterhin mit ihrem Engagement f\u00fcr Qualit\u00e4t und technologischen Fortschritt.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Artikel<\/p>\n<\/td>\n

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Produktion<\/p>\n<\/td>\n

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Forschung<\/p>\n<\/td>\n

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Dummy<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kristallparameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytype<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenorientierungsfehler<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Elektrische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dopant<\/p>\n<\/td>\n

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Stickstoff vom Typ N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Widerstand<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0.025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mechanische Parameter<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dicke<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache Orientierung<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Prim\u00e4re flache L\u00e4nge<\/p>\n<\/td>\n

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47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Sekund\u00e4re flache<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Ttv<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Bogen<\/p>\n<\/td>\n

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-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kette<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Front (Si-Face) Rauheit (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Struktur<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Mikropipe -Dichte<\/p>\n<\/td>\n

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<1 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Metallverunreinigungen<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPD<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front<\/p>\n<\/td>\n

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Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Oberfl\u00e4chenbeschaffung<\/p>\n<\/td>\n

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Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Partikel<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/Wafer (Gr\u00f6\u00dfe \u2265 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm. Kumulative L\u00e4nge \u2264 Diameter<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orangenschale\/Pits\/Flecken\/Streifen\/Risse\/Kontamination<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Kantenchips\/Eingeweide\/Fraktur-\/Sechskantplatten<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytyperbereiche<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 2010TP3T<\/p>\n<\/td>\n

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Kumulative Fl\u00e4che \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Frontlasermarkierung<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenqualit\u00e4t<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckbeschluss<\/p>\n<\/td>\n

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C-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kratzer<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm, kumulative L\u00e4nge \u2264 2*Durchmesser<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckenfehler (Kantenchips\/Eingebiete)<\/p>\n<\/td>\n

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Keiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

R\u00fcckenrauheit<\/p>\n<\/td>\n

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Ra \u2264 0,2 nm (5 & mgr; m*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00fcckmarkierung von Laser<\/p>\n<\/td>\n

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1 mm (von der Oberkante)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rand<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rand<\/p>\n<\/td>\n

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Chamfer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Packaging<\/p>\n<\/td>\n

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Epi-ready with vacuum packaging<\/p>\n

Multi-wafer cassette packaging<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Notes\uff1a \u201cNA\u201d means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\n
\"SiC <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Semiceras 4-Zoll-Hochreinheit Semi-INS (HPSI) sic-doppelte polierte Wafer-Substrate sind f\u00fcr \u00fcberlegene elektronische Leistung pr\u00e4zisionsgest\u00fctzt. Diese Wafer bieten eine hervorragende thermische Leitf\u00e4higkeit und elektrische Isolierung, ideal f\u00fcr fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Vertrauens -Semizera f\u00fcr beispiellose Qualit\u00e4t und Innovation in der Wafertechnologie.<\/p>","protected":false},"featured_media":747,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[35,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1418","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-sic-substrate","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1418","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1418"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/747"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1418"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1418"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1418"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1418"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}