La base recubierta de carbono de silicio de 12 pulgadas, especialmente diseñada para equipos ASM, presenta SiC de alta pureza que es resistente a altas temperaturas y corrosión, lo que garantiza la estabilidad de los procesos de obleas. Es compatible con EPI/CVD y otros procesos de fabricación, ofreciendo una larga vida útil y una excelente uniformidad térmica.
En dispositivos epitaxiales avanzados como el ASM, las bases (susceptores) recubiertas de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas se están convirtiendo en consumibles clave en la fabricación de semiconductores de tercera generación.
La base de grafito tradicional enfrenta dos desafíos principales en el proceso MOCVD de alta temperatura: uno es la contaminación causada por la difusión inversa del vapor de silicio y el otro es el agrietamiento causado por la diferencia en los coeficientes de expansión térmica. El recubrimiento de β-SiC fabricado mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD), con su estructura densa de 4,3 g/cm³ y una conductividad térmica de 3,2 W/m·K, aún puede mantener una planitud de ±0,2 mm a 1600 °C. Los datos de prueba de ASML de los Países Bajos muestran que la base recubierta con SiC de alta calidad puede reducir el arco de la oblea de 120 μm a menos de 35 μm.
Para cumplir con los requisitos epitaxiales de las obleas de 12 pulgadas, las bases modernas adoptan tecnología de recubrimiento en gradiente: la capa inferior es una capa amortiguadora de 50 μm (SiC+10 % TiC), la capa intermedia es de SiC de alta pureza de 120 μm y la superficie se pule con plasma para lograr un efecto de espejo con Ra <0,05 μm. Esta estructura mantiene la uniformidad de la temperatura dentro de ±1,5 °C (datos medidos de la plataforma EPI Centura de Applied Materials). Vale la pena señalar que el diseño del canal multiporo en la parte posterior de la base logra una distribución uniforme del gas portador de hidrógeno, lo que reduce la fluctuación de la tasa de crecimiento epitaxial a ±1,2 %.
