Los sustratos de oblea Semicera 3C-SiC ofrecen una conductividad térmica superior y un alto voltaje de ruptura eléctrica, ideales para dispositivos electrónicos de potencia y de alta frecuencia. Estos sustratos están diseñados con precisión para un rendimiento óptimo en entornos hostiles, lo que garantiza confiabilidad y eficiencia. Elija Semicera para soluciones innovadoras y avanzadas.
Los sustratos de oblea Semicera 3C-SiC están diseñados para proporcionar una plataforma sólida para dispositivos de alta frecuencia y electrónica de potencia de próxima generación. Con propiedades térmicas y características eléctricas superiores, estos sustratos están diseñados para cumplir con los exigentes requisitos de la tecnología moderna.
La estructura 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) de los sustratos de obleas Semicera ofrece ventajas únicas, incluida una mayor conductividad térmica y un coeficiente de expansión térmica más bajo en comparación con otros materiales semiconductores. Esto los convierte en una excelente opción para dispositivos que funcionan en temperaturas extremas y condiciones de alta potencia.
Con un alto voltaje de ruptura eléctrica y una estabilidad química superior, los sustratos de oblea Semicera 3C-SiC garantizan un rendimiento y confiabilidad duraderos. Estas propiedades son fundamentales para aplicaciones como radares de alta frecuencia, iluminación de estado sólido e inversores de potencia, donde la eficiencia y la durabilidad son primordiales.
El compromiso de Semicera con la calidad se refleja en el meticuloso proceso de fabricación de sus sustratos de obleas 3C-SiC, lo que garantiza uniformidad y consistencia en cada lote. Esta precisión contribuye al rendimiento general y la longevidad de los dispositivos electrónicos construidos sobre ellos.
Al elegir los sustratos de oblea Semicera 3C-SiC, los fabricantes obtienen acceso a un material de vanguardia que permite el desarrollo de componentes electrónicos más pequeños, más rápidos y más eficientes. Semicera continúa apoyando la innovación tecnológica brindando soluciones confiables que satisfacen las demandas cambiantes de la industria de los semiconductores.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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