Sustratos de óxido de galio de 4 ″

Name: China 4″ Gallium Oxide Substrates Suppliers
SKU: 0110

Sustratos de óxido de galio de 4″: descubra nuevos niveles de eficiencia y rendimiento en electrónica de potencia y dispositivos UV con los sustratos de óxido de galio de 4″ de alta calidad de Semicera, diseñados para aplicaciones de semiconductores de vanguardia.

semicera presenta con orgullo su Sustratos de óxido de galio de 4 ″ , un material innovador diseñado para satisfacer las crecientes demandas de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Óxido de galio (Ga₂O₃) los sustratos ofrecen una banda prohibida ultra amplia, lo que los hace ideales para electrónica de potencia de próxima generación, optoelectrónica UV y dispositivos de alta frecuencia.

Características clave:

• Banda prohibida ultra ancha : El Sustratos de óxido de galio de 4 ″ cuentan con una banda prohibida de aproximadamente 4,8 eV, lo que permite una tolerancia excepcional al voltaje y la temperatura, superando significativamente a los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.

• Alto voltaje de ruptura : Estos sustratos permiten que los dispositivos funcionen a voltajes y potencias más altos, lo que los hace perfectos para aplicaciones de alto voltaje en electrónica de potencia.

• Estabilidad térmica superior : Los sustratos de óxido de galio ofrecen una excelente conductividad térmica, lo que garantiza un rendimiento estable en condiciones extremas, ideal para su uso en entornos exigentes.

• Alta calidad de materiales : Con bajas densidades de defectos y alta calidad de cristal, estos sustratos garantizan un rendimiento confiable y consistente, mejorando la eficiencia y durabilidad de sus dispositivos.

• Aplicación versátil : Adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluidos transistores de potencia, diodos Schottky y dispositivos LED UV-C, lo que permite innovaciones tanto en el campo de la energía como en el optoelectrónico.

Explore el futuro de la tecnología de semiconductores con Semicera Sustratos de óxido de galio de 4 ″ . Nuestros sustratos están diseñados para admitir las aplicaciones más avanzadas, proporcionando la confiabilidad y eficiencia necesarias para los dispositivos de vanguardia actuales. Confíe en Semicera por la calidad e innovación en sus materiales semiconductores.

Elementos	Producción	Investigación	Ficticio
Parámetros de cristal
politipo	4H
Error de orientación de la superficie	<11-20 >4±0.15°
Parámetros eléctricos
dopante	Nitrógeno tipo n
Resistividad	0.015-0.025ohm·cm
Parámetros mecánicos
Diámetro	150,0 ± 0,2 mm
Espesor	350±25 micras
Orientación plana primaria	[1-100]±5°
Longitud plana primaria	47,5 ± 1,5 mm
piso secundario	Ninguno
televisión	≤5 micras	≤10 micras	≤15 micras
TVL	≤3 micras(5mm*5mm)	≤5 micras(5mm*5mm)	≤10 micras(5mm*5mm)
Arco	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Urdimbre	≤35 micras	≤45 micras	≤55 micras
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Estructura
Densidad de microtubos	<1 unidad/cm2	<10 c/cm2	<15 c/cm2
Impurezas metálicas	≤5E10atoms/cm2		N / A
TLP	≤1500 unidades/cm2	≤3000 unidades/cm2	N / A
TSD	≤500 unidades/cm2	≤1000 unidades/cm2	N / A
Calidad frontal
Frente	Si
Acabado superficial	CMP de cara Si
Partículas	≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm)	N / A
Arañazos	≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro	Longitud acumulada≤2*Diámetro	N / A
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación	Ninguno		N / A
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales	Ninguno
Áreas politipo	Ninguno	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcado láser frontal	Ninguno
Calidad trasera
Acabado trasero	CMP cara C
Arañazos	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro	N / A
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)	Ninguno
Rugosidad de la espalda	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcado láser trasero	1 mm (desde el borde superior)
Borde
Borde	Chaflán
Embalaje
Embalaje	Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples
*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.