Los lingotes de SiC tipo N de 4”, 6” y 8” de Semicera son la piedra angular de los dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia. Al ofrecer propiedades eléctricas y conductividad térmica superiores, estos lingotes están diseñados para respaldar la producción de componentes electrónicos confiables y eficientes. Confíe en Semicera por su calidad y rendimiento inigualables.
Los lingotes de SiC tipo N de 4”, 6” y 8” de Semicera representan un gran avance en materiales semiconductores, diseñados para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas electrónicos y de energía modernos. Estos lingotes proporcionan una base sólida y estable para diversas aplicaciones de semiconductores, lo que garantiza un rendimiento y una longevidad óptimos.
Nuestros lingotes de SiC tipo N se producen mediante procesos de fabricación avanzados que mejoran su conductividad eléctrica y estabilidad térmica. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como inversores, transistores y otros dispositivos electrónicos de potencia donde la eficiencia y la confiabilidad son primordiales.
El dopaje preciso de estos lingotes garantiza que ofrezcan un rendimiento consistente y repetible. Esta coherencia es fundamental para los desarrolladores y fabricantes que están ampliando los límites de la tecnología en campos como el aeroespacial, el automotriz y el de las telecomunicaciones. Los lingotes de SiC de Semicera permiten la producción de dispositivos que funcionan de manera eficiente en condiciones extremas.
Elegir los lingotes de SiC tipo N de Semicera significa integrar materiales que puedan soportar altas temperaturas y altas cargas eléctricas con facilidad. Estos lingotes son particularmente adecuados para crear componentes que requieren una excelente gestión térmica y operación de alta frecuencia, como amplificadores de RF y módulos de potencia.
Al optar por los lingotes de SiC tipo N de 4”, 6” y 8” de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina propiedades excepcionales del material con la precisión y confiabilidad que exigen las tecnologías de semiconductores de vanguardia. Semicera continúa liderando la industria al brindar soluciones innovadoras que impulsan el avance de la fabricación de dispositivos electrónicos.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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