Este producto es un Kit de componentes a base de grafito de 41 piezas diseñado para Equipo MOCVD (Deposición Química de Vapor Metal-Orgánico) de 4 pulgadas . Fabricadas con materiales de grafito de alta pureza, estas piezas están diseñadas para ofrecer estabilidad a altas temperaturas, excelente conductividad térmica y fuerte resistencia química, lo que garantiza un rendimiento estable en entornos exigentes de crecimiento epitaxial.
Los componentes se utilizan ampliamente en sistemas de reactores MOCVD para procesos de epitaxia de semiconductores compuestos de GaN, SiC y otros. Con un mecanizado preciso y un control de calidad constante, las piezas ayudan a mejorar la uniformidad del campo térmico, mejoran la estabilidad del proceso y extienden la vida útil del equipo.
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas.:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 ℃.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | milímetros | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
