La base recubierta de SiC ASM de 8 pulgadas adopta una tecnología de recubrimiento de carburo de silicio (SiC) de alta pureza, que presenta una excelente estabilidad térmica y resistencia a la corrosión. Es adecuado para procesos de crecimiento epitaxial de semiconductores, asegurando un calentamiento uniforme de las obleas y extendiendo la vida útil de los equipos.
Recomprender la esencia de la tecnología
En los equipos de fabricación de obleas, el susceptor (bandeja base) es como el marco de soporte de un horno de precisión. Los materiales de grafito tradicionales experimentarán desprendimiento de partículas y deformación térmica a una temperatura alta de 1700 ℃. Sin embargo, la solución de recubrimiento de SiC de 8 pulgadas adoptada por ASM construye una capa de cristal de β-SiC de 20-50 μm en la superficie del sustrato de grafito mediante deposición de vapor, estabilizando el coeficiente de expansión térmica en 4,0×10⁻⁶/℃ (RT-1000℃). Reduce el riesgo de deformación en un 60% en comparación con el grafito puro.
Tres avances en la tecnología de recubrimientos
1.Tecnología de transición de gradiente: mediante el control de la división de presión de los precursores ternarios de Si-CH, se logra una transición a nivel atómico del sustrato de grafito al recubrimiento de SiC, evitando el "efecto cáscara de huevo" de los procesos tradicionales.
2.Innovación en el control de la orientación del cristal: al adoptar la estrategia de crecimiento selectivo del plano cristalino (111), la rugosidad de la superficie del recubrimiento Ra es inferior a 0,3 μm, que es un 40 % mayor que el estándar de la industria en términos de planitud.
3.Mecanismo de autorreparación de defectos: al introducir un entorno de exceso de Si pulsado en la última etapa de deposición, los microporos del recubrimiento se pueden llenar automáticamente y la porosidad se puede controlar a <0,8 % en volumen.
Matriz de valores de aplicación práctica.
1. Uniformidad del campo térmico: los resultados medidos muestran que bajo condiciones de trabajo de 1500 ℃, la diferencia de temperatura dentro del área de la oblea de 8 pulgadas es ≤ ± 1,5℃
2.Se duplicó la vida útil: los datos de una determinada fábrica de fundición muestran que, en comparación con los palés tradicionales, la versión recubierta ha ampliado el ciclo de mantenimiento preventivo de 1.500 lotes a 4.000 lotes.
3.Control de la contaminación: el análisis de espectrometría de masas de iones muestra que el recubrimiento de SiC reduce la capacidad de adsorción de contaminantes metálicos (como Fe, Ni, etc.) en dos órdenes de magnitud.
Soluciones a los puntos débiles de la industria
En respuesta a los requisitos especiales del crecimiento epitaxial del semiconductor GaN-on-SiC de tercera generación, hemos desarrollado una tecnología de recubrimiento con patrón en la parte posterior, que retiene el grafito expuesto en áreas específicas de la bandeja y logra una compensación de la temperatura del borde de la oblea a través de una conductividad térmica diferenciada, mejorando con éxito la falta de uniformidad del espesor de la capa epitaxial de ±7 % a ±3 %.
La dirección futura de la evolución tecnológica
Con el retraso en la transición de las obleas de 450 mm, los equipos de 8 pulgadas existirán durante mucho tiempo. La tecnología de recubrimiento de próxima generación se centrará en:
1. Revestimiento inteligente sensible al calor: integrado en la red de sensores de nanocables de SiC
2.Superficie autolimpiante: estructura micronano biónica con efecto de hoja de loto
3.Reciclaje de palets de residuos: tecnología de remanufactura por pulverización en frío
