El susceptor de grafito de 8 pulgadas de Semicera con revestimiento de SiC se fabrica mediante un proceso CVD para aplicaciones de semiconductores de alta temperatura. El producto presenta una conductividad térmica estable, una fuerte resistencia a la oxidación y una excelente resistencia a la corrosión química. La capa densa y uniforme de SiC protege eficazmente la base de grafito de la erosión del gas del proceso, extendiendo significativamente la vida útil en condiciones operativas duras.
Se utiliza ampliamente en MOCVD, CVD y otros sistemas de epitaxia y deposición de alta temperatura, lo que garantiza un soporte estable de las obleas y una distribución uniforme del calor. Diseñado para entornos de producción en masa en la fabricación de semiconductores y LED, ofrece un rendimiento constante y una alta confiabilidad del proceso.
El recubrimiento CVD-SiC presenta una microestructura uniforme, una morfología densa y una excelente estabilidad a altas temperaturas. Ofrece una excelente resistencia a la oxidación, alta pureza y fuerte resistencia a ácidos, álcalis y disolventes orgánicos, lo que garantiza un rendimiento físico y químico estable en condiciones de proceso duras.
En comparación, el grafito de alta pureza comienza a oxidarse alrededor de 400 ºC , lo que provoca pérdidas de material por pulverización. Esto no sólo provoca la contaminación de los equipos circundantes y las cámaras de vacío, sino que también aumenta los niveles de impureza en entornos de procesamiento de alta pureza.
Por el contrario, los recubrimientos de SiC permanecen química y físicamente estables hasta aproximadamente 1600°C , mejorando significativamente la durabilidad y la limpieza del proceso. Como resultado, los componentes recubiertos con CVD-SiC se adoptan ampliamente en aplicaciones industriales modernas de alta temperatura, particularmente en la fabricación de semiconductores.
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza, la pureza puede alcanzar el 99.99995%
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
| Cantidad (piezas) | 1 – 1000 | >1000 |
| Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |
