Oblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V: descubra la próxima generación de tecnología de semiconductores con la oblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V de Semicera, diseñada para un rendimiento y eficiencia superiores en aplicaciones de alto voltaje.
semicera presenta el Oblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V , un gran avance en la innovación de semiconductores. Esta oblea epi avanzada combina la alta eficiencia del nitruro de galio (GaN) con la rentabilidad del silicio (Si), creando una poderosa solución para aplicaciones de alto voltaje.
Características clave:
• Manejo de alto voltaje : Diseñada para admitir hasta 850 V, esta oblea Epi GaN-on-Si es ideal para electrónica de potencia exigente, lo que permite una mayor eficiencia y rendimiento.
• Densidad de potencia mejorada : Con una movilidad de electrones y una conductividad térmica superiores, la tecnología GaN permite diseños compactos y una mayor densidad de potencia.
• Solución rentable : Al aprovechar el silicio como sustrato, esta oblea epi ofrece una alternativa rentable a las obleas de GaN tradicionales, sin comprometer la calidad ni el rendimiento.
• Amplia gama de aplicaciones : Perfecto para usar en convertidores de potencia, amplificadores de RF y otros dispositivos electrónicos de alta potencia, lo que garantiza confiabilidad y durabilidad.
Explore el futuro de la tecnología de alto voltaje con Semicera Oblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V . Diseñado para aplicaciones de vanguardia, este producto garantiza que sus dispositivos electrónicos funcionen con la máxima eficiencia y confiabilidad. Elija Semicera para sus necesidades de semiconductores de próxima generación.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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