Semicera ofrece una amplia gama de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores de epitaxia. A través de asociaciones estratégicas con fabricantes de equipos originales líderes en la industria, amplia experiencia en materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia garantiza que usted reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.
Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio pueden reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que pueden depositarse en la superficie de los materiales recubiertos para formar una capa protectora de SiC para hipnóticos tipo barril.
Características principales:
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
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Propiedades de SiC-CVD |
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| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | milímetros | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
