Semicera provides high-quality CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring has excellent quality and performance, they are designed for etching steps to provide stable etching performance and excellent etching results. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is a special component made of Silicon Carbide (SiC) using the Chemical Vapor Deposition (CVD) method. CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring plays a key role in a variety of industrial applications, especially in processes involving material etching. Silicon Carbide is a unique and advanced ceramic material known for its outstanding properties, including high hardness, excellent thermal conductivity and resistance to harsh chemical environments.
The Chemical Vapor Deposition process involves depositing a thin layer of SiC onto a substrate in a controlled environment, resulting in a high-purity and precisely engineered material. CVD Silicon Carbide is known for its uniform and dense microstructure, excellent mechanical strength and enhanced thermal stability.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is made of CVD Silicon Carbide, which not only ensures excellent durability, but also resists chemical corrosion and extreme temperature changes. This makes it ideal for applications where precision, reliability and life are critical.
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Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%
