CVD Silicon Carbide(SiC) Ring provided by Semicera is an indispensable key component in the complex field of semiconductor manufacturing. It is designed for the etching process and can provide stable and reliable performance for the etching process. This CVD Silicon Carbide(SiC) Ring is made through precision and innovative processes. It is made entirely of chemical vapor deposition silicon carbide (CVD SiC) material and is widely recognized as a representative of excellent performance and enjoys a high reputation in the demanding semiconductor industry. Semicera looks forward to becoming your long-term partner in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Rings offered by Semicera are key components in semiconductor etching, a vital stage in semiconductor device manufacturing. The composition of these CVD Silicon Carbide(SiC) Rings ensures a rugged and durable structure that can withstand the harsh conditions of the etching process. Chemical vapor deposition helps form a high-purity, uniform and dense SiC layer, giving the rings excellent mechanical strength, thermal stability and corrosion resistance.
As a key element in semiconductor manufacturing, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings act as a protective barrier to protect the integrity of semiconductor chips. Its precise design ensures uniform and controlled etching, which helps in the manufacture of highly complex semiconductor devices, providing enhanced performance and reliability.
The use of CVD SiC material in the construction of the rings demonstrates a commitment to quality and performance in semiconductor manufacturing. This material has unique properties, including high thermal conductivity, excellent chemical inertness, and wear and corrosion resistance, making CVD Silicon Carbide(SiC) Rings an indispensable component in the pursuit of precision and efficiency in semiconductor etching processes.
Semicera’s CVD Silicon Carbide (SiC) Ring represents an advanced solution in the field of semiconductor manufacturing, using the unique properties of chemical vapor deposited silicon carbide to achieve reliable and high-performance etching processes, promoting the continuous advancement of semiconductor technology. We are committed to providing customers with excellent products and professional technical support to meet the semiconductor industry’s demand for high-quality and efficient etching solutions.
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Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%.
