Semicera provides high-quality Epitaxy Wafer Carriers designed for Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera’s products ensure stability and excellent thermal conductivity for various semiconductor applications such as MOCVD Susceptors and Barrel Susceptors. Our products are widely used in the production process of Monocrystalline Silicon with excellent high temperature resistance and material compatibility.
Epitaxy Wafer Carrier is a critical component in semiconductor production, especially in Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera carefully designs and manufactures Wafer Carriers to withstand extremely high temperatures and chemical environments, ensuring excellent performance in applications such as MOCVD Susceptor and Barrel Susceptor. Whether it is the deposition of monocrystalline silicon or complex epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier provides excellent uniformity and stability.
Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is made of advanced materials with excellent mechanical strength and thermal conductivity, which can effectively reduce losses and instability during the process. In addition, the design of the Wafer Carrier can also adapt to epitaxy equipment of different sizes, thereby improving overall production efficiency.
For customers who require high-precision and high-purity epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is a trustworthy choice. We are always committed to providing customers with excellent product quality and reliable technical support to help improve the reliability and efficiency of production processes.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.98%, and the purity of sic coating is greater than 99.9995%.
