Semicera proporciona portadores de obleas de epitaxia de alta calidad diseñados para procesos de epitaxia de Si y epitaxia de SiC. Los productos de Semicera garantizan estabilidad y excelente conductividad térmica para diversas aplicaciones de semiconductores, como susceptores MOCVD y susceptores de barril. Nuestros productos se utilizan ampliamente en el proceso de producción de silicio monocristalino con excelente resistencia a altas temperaturas y compatibilidad de materiales.
Epitaxy Wafer Carrier es un componente crítico en la producción de semiconductores, especialmente en los procesos Si Epitaxy y SiC Epitaxy. Semicera diseña y fabrica cuidadosamente Wafer Carriers para soportar temperaturas y entornos químicos extremadamente altos, lo que garantiza un rendimiento excelente en aplicaciones como MOCVD Susceptor y Barrel Susceptor. Ya sea la deposición de silicio monocristalino o procesos complejos de epitaxia, el Epitaxy Wafer Carrier de Semicera proporciona una excelente uniformidad y estabilidad.
El Epitaxy Wafer Carrier de Semicera está fabricado con materiales avanzados con excelente resistencia mecánica y conductividad térmica, lo que puede reducir eficazmente las pérdidas y la inestabilidad durante el proceso. Además, el diseño del Wafer Carrier también puede adaptarse a equipos de epitaxia de diferentes tamaños, mejorando así la eficiencia general de la producción.
Para los clientes que requieren procesos de epitaxia de alta precisión y pureza, Epitaxy Wafer Carrier de Semicera es una opción confiable. Siempre estamos comprometidos a brindar a los clientes una excelente calidad de producto y soporte técnico confiable para ayudar a mejorar la confiabilidad y eficiencia de los procesos de producción.
✓Máxima calidad en el mercado chino
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Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación , Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 100 0 -nivel libre de polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,98% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,9995%. .
