Focus CVD is a special chemical vapor deposition method that uses specific reaction conditions and control parameters to achieve localized focus control of material deposition. In the preparation of focus CVD SiC rings, the focus area refers to the specific part of the ring structure that will receive the main deposition to form the specific shape and size required.
Focus CVD SiC Ring is a silicon carbide (SiC) ring material prepared by Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) technology.
Focus CVD SiC Ring has many excellent performance characteristics. First, it has high hardness, high melting point and excellent high temperature resistance, and can maintain stability and structural integrity under extreme temperature conditions. Secondly, Focus CVD SiC Ring has excellent chemical stability and corrosion resistance, and has high resistance to corrosive media such as acids and alkalis. In addition, it also has excellent thermal conductivity and mechanical strength, which is suitable for application requirements in high temperature, high pressure and corrosive environments.
Focus CVD SiC Ring is widely used in many fields. It is often used for thermal isolation and protection materials of high temperature equipment, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors. In addition, Focus CVD SiC Ring can also be used in optoelectronics, semiconductor manufacturing, precision machinery and aerospace, providing high-performance environmental tolerance and reliability.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%.
