El nitruro de galio (GaN), al igual que los materiales de carburo de silicio (SiC), pertenece a la tercera generación de materiales semiconductores con ancho de banda prohibida amplia, alta conductividad térmica, alta tasa de migración de saturación de electrones y características sobresalientes del campo eléctrico de alta ruptura. Los dispositivos GaN tienen una amplia gama de perspectivas de aplicación en campos de alta frecuencia, alta velocidad y alta demanda de energía, como iluminación LED de ahorro de energía, pantalla de proyección láser, vehículos de nueva energía, redes inteligentes y comunicación 5G.
Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas, como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, la iluminación de semiconductores y las redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más del 75%, lo que es un hito importante para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.
|
Artículo |
GaN-FS-C-U-C50 |
GaN-FS-C-N-C50 |
GaN-FS-C-SI-C50 |
|
Diámetro |
50,8 ± 1mm |
||
|
Espesor espesor |
350 ± 25 micras |
||
|
Orientación |
Plano C (0001) fuera del ángulo hacia el eje M 0,35 ± 0,15° |
||
|
Piso privilegiado |
(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm |
||
|
Piso Secundario |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm |
||
|
Conductividad |
tipo N |
tipo N |
Semiaislante |
|
Resistividad (300K) |
< 0,1 Ω·cm |
< 0,05 Ω·cm |
> 106 Ω·cm |
|
televisión |
≤ 15 micras |
||
|
ARCO |
≤ 20 micras |
||
|
Rugosidad de la superficie de la cara Ga |
< 0,2 nm (pulido); |
||
|
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
|||
|
N Rugosidad de la superficie de la cara |
0,5 ~1,5 micras |
||
|
opción: 1~3 nm (tierra fina); < 0,2 nm (pulido) |
|||
|
Densidad de dislocación |
De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)* |
||
|
Densidad de defectos macro |
< 2cm-2 |
||
|
Área utilizable |
> 90% (exclusión de defectos de borde y macro) |
||
|
Se puede personalizar según los requisitos del cliente, diferentes estructuras de lámina epitaxial de GaN basada en silicio, zafiro y SiC. |
|||
