Graphite Susceptor with Silicon Carbide Coating Wafer Carrier

Semicera ofrece una gama integral de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores epitaxy. A través de asociaciones estratégicas con OEM líderes en la industria, experiencia extensa de materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia asegura que reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.

Descripción

CVD-SiC coating has the characteristics of uniform structure, compact material, high temperature resistance, oxidation resistance, high purity, acid&alkali resistance and organic reagent, with stable physical and chemical properties.
Compared with high-purity graphite materials, graphite begins to oxidize at 400C, which will cause a loss of powder due to oxidation, resulting in environmental pollution to peripheral devices and vacuum chambers, and increase impurities of high-purity environment.
However, SiC coating can maintain physical and chemical stability at 1600 degrees, It is widely used in modern industry, especially in semiconductor industry.

FDVCDV

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Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer. The SIC formed is firmly bonded to the graphite base, giving the graphite base special properties, thus making the surface of the graphite compact, Porosity-free, high temperature resistance, corrosion resistance and oxidation resistance.

Solicitud

Graphite Susceptor with Silicon Carbide Coating Wafer Carrier插图2

Características principales

1. Alta pureza Grafito recubierto de SIC

2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica

3. Fine SiC crystal coated for a smooth surface

4. Alta durabilidad contra la limpieza química

Especificaciones principales de recubrimientos CVD-SIC

Sic-cvd
Densidad (g/cc) 3.21
Resistencia a la flexión (MPA) 470
Expansión térmica (10-6/K) 4
Conductividad térmica (W/mk) 300

Embalaje y envío

Capacidad de suministro:
10000 piezas/piezas por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y fuerte
Poly Bag + Box + Carton + Pallet
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tiempo de entrega:

Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
Est. Tiempo (días) 15 Ser negociado
Lugar de trabajo de semicera
Semicera Work Place 2
Máquina de equipos
Procesamiento de CNN, limpieza química, recubrimiento de CVD
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