El cilindro recubierto de carburo de tantalio poroso de alta pureza de Semicera está diseñado específicamente para hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC). Con un revestimiento de carburo de tantalio de alta pureza y una estructura porosa, este cañón proporciona una estabilidad térmica excepcional y resistencia a la corrosión química. La avanzada tecnología de recubrimiento de Semicera garantiza un rendimiento duradero y eficiencia en los procesos de crecimiento de cristales de SiC, lo que la convierte en una opción ideal para aplicaciones de semiconductores exigentes.
El cilindro poroso recubierto de carburo de tantalio tiene carburo de tantalio como material de recubrimiento principal, el carburo de tantalio tiene una excelente resistencia a la corrosión, resistencia al desgaste y estabilidad a altas temperaturas. Puede proteger eficazmente el material base de la erosión química y la atmósfera de alta temperatura. El material base suele tener las características de resistencia a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. Puede proporcionar buena resistencia mecánica y estabilidad química y, al mismo tiempo, servir como base de soporte del recubrimiento de carburo de tantalio.
Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes. El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, estabilidad a alta temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (susceptor de TaC recubierto de grafito) y extendiendo la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología de CVD TaC con los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de usar TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Simicera para el crecimiento de monocristales.
Además, los productos recubiertos de TaC de Semicera exhiben una vida útil más larga y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación con Recubrimientos de SiC. Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestros recubrimientos TaC pueden funcionar consistentemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación se muestran algunos ejemplos de nuestras muestras.:
