Polvo de SiC de alta pureza

El polvo de SiC de alta pureza de Semicera cuenta con un contenido de carbono y silicio excepcionalmente alto, con niveles de pureza que van de 4N a 6N. Con tamaños de partículas que van desde nanómetros a micrómetros, tiene una gran superficie específica. El polvo de SiC de Semicera mejora la reactividad, la dispersabilidad y la actividad superficial, ideal para aplicaciones de materiales avanzados.

El carburo de silicio (SiC) se está convirtiendo rápidamente en una opción preferida sobre el silicio para componentes electrónicos, especialmente en aplicaciones de banda prohibida amplia. SiC ofrece eficiencia energética mejorada, tamaño compacto, peso reducido y menores costos generales del sistema.

 La demanda de polvos de SiC de alta pureza en las industrias electrónica y de semiconductores ha llevado a Semicera a desarrollar un polvo de SiC de alta pureza superior. El método innovador de Semicera para producir SiC de alta pureza da como resultado polvos que demuestran cambios de morfología más suaves, un consumo de material más lento e interfaces de crecimiento más estables en configuraciones de crecimiento de cristales.

 Nuestro polvo de SiC de alta pureza está disponible en varios tamaños y se puede personalizar para cumplir con los requisitos específicos del cliente. Para obtener más detalles y discutir su proyecto, comuníquese con Semicera.

 

1. Rango de tamaño de partículas:

Cubriendo escalas submicrónicas a milimétricas.

potencia de carburo de silicio_Semicera-1

potencia de carburo de silicio_Semicera-3

potencia de carburo de silicio_Semicera-2

potencia de carburo de silicio_Semicera-4

2. Pureza del polvo

pureza del poder del carburo de silicio_Semicera1

pureza del poder del carburo de silicio_Semicera2

Informe de prueba 4N

3.Cristales en polvo

Cubriendo escalas submicrónicas a milimétricas.

potencia de carburo de silicio_Semicera-5

potencia de carburo de silicio_Semicera-6

4. Morfología microscópica

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4

5. Morfología macroscópica

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Boletín

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