Sustrato InP y CdTe

Las soluciones de sustrato InP y CdTe de Semicera están diseñadas para aplicaciones de alto rendimiento en las industrias de semiconductores y energía solar. Nuestros sustratos de InP (fosfuro de indio) y CdTe (telururo de cadmio) ofrecen propiedades de material excepcionales, que incluyen alta eficiencia, excelente conductividad eléctrica y sólida estabilidad térmica. Estos sustratos son ideales para su uso en dispositivos optoelectrónicos avanzados, transistores de alta frecuencia y células solares de película delgada, proporcionando una base confiable para tecnologías de vanguardia.

Con Semicera Sustrato InP y CdTe , puede esperar una calidad superior y un diseño de precisión para satisfacer las necesidades específicas de sus procesos de fabricación. Ya sea para aplicaciones fotovoltaicas o dispositivos semiconductores, nuestros sustratos están diseñados para garantizar un rendimiento, durabilidad y consistencia óptimos. Como proveedor confiable, Semicera se compromete a ofrecer soluciones de sustrato personalizables y de alta calidad que impulsen la innovación en los sectores de la electrónica y las energías renovables.

Propiedades cristalinas y eléctricas ✽ 1

Tipo
dopante
DEP(cm –2 )(Ver abajo A.)
Área DF (libre de defectos) (cm) , Ver más abajo B.)
c/(ccm –3 
Movilidad(y cm /vs)
Resistividad (yΩ・cm)
n
sn
≦5×10 4
≦1×10 4
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×10 18
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59.4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×10 18
──────
──────
p
zinc
──────
≧ 10(59.4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×10 18
──────
──────
SI
fe
≦5×10 4
≦1×10 4
──────
──────
──────
≧ 1×10 6
n
ninguno
≦5×10 4
──────
≦1×10 16
≧ 4×10 3
──────
✽ 1 Otras especificaciones están disponibles bajo petición.

A.Promedio de 13 puntos

1. Las densidades de las fosas de grabado de las dislocaciones se miden en 13 puntos.

2. Se calcula el promedio ponderado por área de las densidades de dislocación.

B.Medición del Área del DF (En Caso de Garantía de Área)

1. Se cuentan las densidades de los pozos de grabado de dislocación de 69 puntos que se muestran a la derecha.

2. DF se define como EPD inferior a 500 cm. –2
3. El área máxima del DF medida con este método es de 17,25 cm. 2

Sustrato InP y CdTe (2)

Sustrato InP y CdTe (1)

Sustrato InP y CdTe (3)

Especificaciones comunes de los sustratos monocristalinos InP

1. Orientación
    Orientación de la superficie (100)±0,2º o (100)±0,05º
    La orientación de superficie está disponible a pedido.
    Orientación del plano OF : (011)±1º o (011)±0.1º IF : (011)±2º
    OF cortado está disponible a pedido.
2. Está disponible el marcado láser basado en el estándar SEMI.
3. Están disponibles paquetes individuales y paquetes en gas N2.
4. Está disponible el grabado y empaquetado en gas N2.
5. Hay disponibles obleas rectangulares.
Las especificaciones anteriores son del estándar JX.
Si se requieren otras especificaciones, por favor consúltenos.

Orientación

 

Sustrato InP y CdTe (4)(1)

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Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD

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