Semicera Semiconductor es un proveedor líder especializado en obleas y consumibles semiconductores avanzados. Estamos dedicados a proporcionar productos innovadores, confiables y de alta calidad para la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica y otros campos relacionados. Nuestra línea de productos incluye productos cerámicos y productos de grafito recubiertos de SiC/TaC, que abarcan diversos materiales como carburo de silicio, nitruro de silicio y óxido de aluminio, etc. Como proveedor confiable, entendemos la importancia de los consumibles en el proceso de fabricación y estamos comprometidos a entregar productos que cumplan con la más alta calidad. estándares para satisfacer las necesidades de nuestros clientes.
Descripción del Producto
Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas.:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
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Tamaño de grano |
milímetros |
2~10 |
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Pureza química |
% |
99.99995 |
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Capacidad calorífica |
J·kg-1·K-1 |
640 |
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Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
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Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
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Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
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Expansión Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
