El portador de procesamiento PSS de Semicera para transmisión de obleas semiconductoras está diseñado para el manejo y transferencia eficiente de obleas semiconductoras durante los procesos de fabricación. Fabricado con materiales de alta calidad, este transportador garantiza una alineación precisa, una contaminación mínima y un transporte fluido de las obleas. Diseñados para la industria de semiconductores, los portadores PSS de Semicera mejoran la eficiencia, la confiabilidad y el rendimiento del proceso, lo que los convierte en un componente esencial en las aplicaciones de procesamiento y manipulación de obleas.
Descripción del Producto
Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas.:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
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Tamaño de grano |
milímetros |
2~10 |
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Pureza química |
% |
99.99995 |
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Capacidad calorífica |
J·kg-1·K-1 |
640 |
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Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
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Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
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Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
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Expansión Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
