La paleta de carburo de silicio, también conocida como paleta en voladizo de carburo de silicio, la viga en voladizo de carburo de silicio es un tipo de productos cerámicos de carburo de silicio después de la sinterización a alta temperatura de 1850 ℃, pero la cerámica de carburo de silicio de sinterización a alta temperatura es un producto cerámico especial, mediante partículas finas de α-SiC y aditivos presionados en un espacio en blanco, en contacto con silicio líquido a alta temperatura, carbono en el espacio en blanco e infiltración de la reacción de Si, la formación de β-SiC y combinado con α-SiC. el silicio libre llenó la porosidad, para obtener materiales cerámicos de alta densidad; Tiene varias propiedades superiores de la cerámica industrial.
Las paletas de SiC de Semicera están diseñadas para una expansión térmica mínima, lo que brinda estabilidad y precisión en procesos donde la precisión dimensional es crítica. Esto los hace ideales para aplicaciones en las que las obleas se someten a ciclos repetidos de calentamiento y enfriamiento, ya que el barco de la oblea mantiene su integridad estructural, lo que garantiza un rendimiento constante.
La incorporación de paletas de difusión de carburo de silicio de Semicera en su línea de producción mejorará la confiabilidad de su proceso, gracias a sus propiedades térmicas y químicas superiores. Estas paletas son perfectas para procesos de difusión, oxidación y recocido, asegurando que las obleas se manipulen con cuidado y precisión en cada paso.
La innovación es el núcleo del diseño de paletas de SiC de Semicera. Estas paletas están diseñadas para encajar perfectamente en los equipos semiconductores existentes, lo que proporciona una mayor eficiencia de manejo. La estructura liviana y el diseño ergonómico no solo mejoran el transporte de obleas sino que también reducen el tiempo de inactividad operativa, lo que resulta en una producción optimizada.
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Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado |
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Propiedad |
Valor típico |
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Temperatura de trabajo (°C) |
1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor) |
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Contenido de SiC |
> 99.96% |
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Contenido gratuito de Si |
< 0.1% |
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densidad aparente |
2,60-2,70 g/cm 3 |
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Porosidad aparente |
< 16% |
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Fuerza de compresión |
> 600MPa |
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Resistencia a la flexión en frío |
80-90 MPa (20°C) |
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Resistencia a la flexión en caliente |
90-100MPa (1400°C) |
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Expansión térmica @1500°C |
4.70 10 -6 /°C |
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Conductividad térmica @1200°C |
23 W/m·K |
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módulo elástico |
240 GPa |
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Resistencia al choque térmico |
Extremadamente bueno |
