Semicera’s SiC Ceramic Seal Part is designed for the semiconductor manufacturing industry, providing excellent sealing performance and durability. It uses high-quality Silicon Carbide (SiC) material, combined with Alumina (Al2O3) and Silicon Nitride (Si3N4), to ensure reliable performance in high temperature and harsh environments, and is widely used in wafer boats and wafer carriers.
Semicera’s self-developed SiC Ceramic Seal Part is designed to meet the high standards of modern semiconductor manufacturing. This sealing part uses high-performance silicon carbide (SiC) material with excellent wear resistance and chemical stability to ensure excellent sealing performance in extreme environments. Combined with aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (Si3N4), this part performs well in high-temperature applications and can effectively prevent gas and liquid leakage.
When used in conjunction with equipment such as wafer boats and wafer carriers, Semicera’s SiC Ceramic Seal Part can significantly improve the efficiency and reliability of the overall system. Its superior temperature resistance and corrosion resistance make it an indispensable component in high-precision semiconductor manufacturing, ensuring stability and safety during the production process.
In addition, the design of this sealing part has been carefully optimized to ensure compatibility with a variety of equipment, making it easy to use in different production lines. Semicera’s R&D team continues to work hard to promote technological innovation to ensure the competitiveness of its products in the industry.
Choosing Semicera’s SiC Ceramic Seal Part, you will get a combination of high performance and reliability, helping you achieve more efficient production processes and excellent product quality. Semicera is always committed to providing customers with the best semiconductor solutions and services to promote the continuous development and progress of the industry.
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Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%.
