La pieza de sello cerámico SiC de Semicera está diseñada para la industria de fabricación de semiconductores y proporciona un excelente rendimiento de sellado y durabilidad. Utiliza material de carburo de silicio (SiC) de alta calidad, combinado con alúmina (Al2O3) y nitruro de silicio (Si3N4), para garantizar un rendimiento confiable en entornos hostiles y de alta temperatura, y se usa ampliamente en barcos y transportadores de obleas.
La pieza de sello cerámico de SiC de desarrollo propio de Semicera está diseñada para cumplir con los altos estándares de la fabricación moderna de semiconductores. Esta pieza de sellado utiliza material de carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento con excelente resistencia al desgaste y estabilidad química para garantizar un excelente rendimiento de sellado en entornos extremos. Combinada con óxido de aluminio (Al2O3) y nitruro de silicio (Si3N4), esta pieza funciona bien en aplicaciones de alta temperatura y puede prevenir eficazmente fugas de gases y líquidos.
Cuando se utiliza junto con equipos como botes y transportadores de obleas, la pieza de sello cerámico de SiC de Semicera puede mejorar significativamente la eficiencia y confiabilidad del sistema en general. Su resistencia superior a la temperatura y a la corrosión lo convierten en un componente indispensable en la fabricación de semiconductores de alta precisión, garantizando estabilidad y seguridad durante el proceso de producción.
Además, el diseño de esta pieza de sellado se ha optimizado cuidadosamente para garantizar la compatibilidad con una variedad de equipos, lo que facilita su uso en diferentes líneas de producción. El equipo de I+D de Semicera continúa trabajando intensamente para impulsar la innovación tecnológica que garantice la competitividad de sus productos en la industria.
Al elegir la pieza de sello cerámico SiC de Semicera, obtendrá una combinación de alto rendimiento y confiabilidad, lo que lo ayudará a lograr procesos de producción más eficientes y una excelente calidad del producto. Semicera siempre se compromete a brindar a los clientes las mejores soluciones y servicios de semiconductores para promover el desarrollo y progreso continuo de la industria.
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Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación , Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 100 0 -nivel libre de polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,99% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,99995%. .
