Semicera ofrece una amplia gama de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores de epitaxia. A través de asociaciones estratégicas con fabricantes de equipos originales líderes en la industria, amplia experiencia en materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia garantiza que usted reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.
Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio pueden reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que pueden depositarse en la superficie de los materiales recubiertos para formar una capa protectora de SiC para hipnóticos tipo barril de epitaxia.
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas.:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | milímetros | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
