Los superiores susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD de Semicera, diseñados para revolucionar sus procesos de crecimiento de semiconductores. El susceptor de última generación de Semicera, con una base de grafito recubierta con SiC de alta calidad, ofrece rendimiento y eficiencia incomparables en aplicaciones MOCVD.
Los susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD de semicera están diseñados para proporcionar un rendimiento excepcional en los procesos de crecimiento epitaxial. El recubrimiento de carburo de silicio de alta calidad sobre la base de grafito garantiza estabilidad, durabilidad y conductividad térmica óptima durante las operaciones MOCVD (deposición química de vapor de metales orgánicos). Al utilizar la innovadora tecnología de susceptor de semicera, puede lograr una precisión y eficiencia mejoradas en aplicaciones de epitaxia de Si y epitaxia de SiC.
Estos susceptores MOCVD están diseñados para admitir una variedad de componentes semiconductores esenciales, como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier, lo que los hace versátiles para diversas tareas de grabado y epitaxial. El compromiso de Semicera con los altos estándares garantiza que estos susceptores cumplan con las rigurosas demandas de la producción moderna de semiconductores.
Ideales para su uso en procesos de susceptor epitaxial LED, susceptor de barril y silicio monocristalino, estos susceptores se pueden personalizar para diferentes tamaños de oblea, incluidas las configuraciones de susceptor Pancake. También son muy eficaces en el manejo de piezas fotovoltaicas, lo que las convierte en un componente crucial en el desarrollo de células solares eficientes.
Además, los susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD están optimizados para GaN en epitaxia de SiC, lo que ofrece una alta compatibilidad con materiales semiconductores avanzados. Ya sea que esté enfocado en mejorar los rendimientos o mejorar la calidad del crecimiento epitaxial, los susceptores de semicera brindan la confiabilidad y el rendimiento necesarios para el éxito en industrias de alta tecnología.
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
|
Cantidad (piezas) |
1-1000 |
>1000 |
| Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |
