Semicera ofrece una cartera completa de susceptores de alto rendimiento y componentes de grafito para una amplia gama de plataformas de reactores de epitaxia.
Aprovechando una sólida colaboración con los principales fabricantes de equipos, una profunda experiencia en materiales avanzados y tecnologías de fabricación de última generación, desarrollamos soluciones personalizadas adaptadas a las demandas únicas de cada aplicación. Nuestro enfoque en la calidad, la precisión y la confiabilidad nos permite brindar soporte a los clientes con componentes optimizados que mejoran el rendimiento del proceso epitaxial y la eficiencia operativa.
Nuestra empresa se especializa en brindar servicios de recubrimiento CVD SiC para grafito, cerámica y otros materiales de sustrato. A través del proceso de deposición química de vapor (CVD), los gases precursores que contienen silicio y carbono reaccionan a temperaturas elevadas para generar carburo de silicio (SiC) de alta pureza. El SiC resultante se deposita uniformemente sobre la superficie del sustrato, formando un recubrimiento de SiC denso y altamente protector que mejora la resistencia a la corrosión, la resistencia al desgaste y el rendimiento a altas temperaturas.
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza, la pureza puede alcanzar el 99.99995%
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | milímetros | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
