Semicera ofrece una amplia gama de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores de epitaxia.
A través de asociaciones estratégicas con fabricantes de equipos originales líderes en la industria, amplia experiencia en materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia garantiza que usted reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.
El recubrimiento CVD SiC presenta una microestructura densa y uniforme, que ofrece una excelente resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, inercia química y pureza ultra alta. Muestra una excelente resistencia a ácidos, álcalis y reactivos orgánicos, al tiempo que mantiene propiedades físicas y químicas estables en condiciones de funcionamiento exigentes.
En comparación con el grafito de alta pureza, que comienza a oxidarse aproximadamente a 400 °C, el grafito recubierto de CVD SiC proporciona una protección significativamente mayor contra la oxidación. La oxidación del grafito puede provocar la generación de partículas, la degradación del material, la contaminación de las cámaras de vacío y los equipos circundantes y un aumento de los niveles de impureza en entornos de procesamiento de alta pureza.
Por el contrario, el revestimiento de SiC permanece química y físicamente estable a temperaturas de hasta 1600 °C, protegiendo eficazmente el sustrato de grafito y ampliando la vida útil de los componentes. Estas ventajas hacen del grafito recubierto de SiC CVD un material ideal para aplicaciones exigentes en la fabricación de semiconductores, producción fotovoltaica, epitaxia, procesos CVD y otros entornos industriales de alta temperatura.
Semicera se especializa en tecnología de recubrimiento CVD SiC para grafito, cerámica y otros componentes de precisión. El carburo de silicio de alta pureza se deposita sobre la superficie del sustrato mediante un proceso de deposición química de vapor, formando una capa protectora densa, sin poros y altamente adherente. Los componentes resultantes recubiertos de SiC exhiben una excelente resistencia a las altas temperaturas, la oxidación, la corrosión y la erosión química, al tiempo que mantienen una pureza superior y una estabilidad a largo plazo en entornos exigentes de semiconductores y procesos de alta temperatura.
Diseñado para procesos de epitaxia de semiconductores, el susceptor de grafito recubierto de SiC proporciona Excelente uniformidad térmica, resistencia química y control de contaminación para el crecimiento de obleas de alto rendimiento.
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
| Cantidad (piezas) | 1 – 1000 | >1000 |
| Est. Tiempo (días) | 15 | Para ser negociado |
