Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. is a leading supplier of advanced semiconductor ceramics. Our main products include: Silicon carbide etched discs, silicon carbide boat trailers, silicon carbide wafer ships (PV & Semiconductor), silicon carbide furnace tubes, silicon carbide cantilever paddles, silicon carbide chuck, silicon carbide beams, as well as CVD SiC coatings and TaC coatings.The products are mainly used in the semiconductor and photovoltaic industries, such as crystal growth, epitaxy, etching, packaging, coating and diffusion furnace equipment.
Nuestra compañía proporciona servicios de procesos de recubrimiento SIC mediante el método de CVD en la superficie del grafito, la cerámica y otros materiales, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora SIC.
1. Resistencia a la oxidación de alta temperatura:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura es tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: hecha por deposición de vapor químico en una condición de cloración de alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácido, álcali, sal y reactivos orgánicos.
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Propiedades de SIC-CVD |
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| Estructura cristalina | Fase FCC β | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza de Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | mm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad de calor | J · KG-1 · K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza del felexural | MPA (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | GPA (4pt Bend, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mk) | 300 |
