Semicera ofrece epitaxia de SiC de película delgada (carburo de silicio) personalizada sobre sustratos para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. Weitai se compromete a ofrecer productos de calidad y precios competitivos, y esperamos ser su socio a largo plazo en China.
Descripción del Producto
Oblea de semilla sic de 4h-n 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 100 mm de espesor de 1 mm para crecimiento de lingotes
Tamaño personalizado/2 pulgadas/3 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingotes SIC/Alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mm de carburo de silicio monocristal (sic) sustratos de obleasS/ Obleas sic cortadas personalizadasProducción de obleas SIC de 4 pulgadas de grado 4H-N de 1,5 mm para cristal semilla
Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en LED de alta potencia.
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Propiedad |
4H-SiC, monocristal |
6H-SiC, monocristal |
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Parámetros de red |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
a=3,073 Å c=15,117 Å |
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Secuencia de apilamiento |
ABCB |
ABCACB |
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Dureza de Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
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Densidad |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Termia. Coeficiente de expansión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Índice de refracción @ 750 nm |
no = 2,61 |
no = 2,60 |
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Constante dieléctrica |
~9.66 |
~9.66 |
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Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
~4,2 W/cm·K@298K |
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Conductividad térmica (semiaislante) |
~4,9 W/cm·K@298K |
~4,6 W/cm·K@298K |
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banda prohibida |
3,23 eV |
3,02 eV |
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Campo eléctrico de avería |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Velocidad de deriva de saturación |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
