Semicera’s SiC Pin Trays for ICP Etching Processes in the LED Industry are specifically designed to enhance efficiency and precision in etching applications. Made from high-quality silicon carbide, these pin trays offer excellent thermal stability, chemical resistance, and mechanical strength. Ideal for the demanding conditions of the LED manufacturing process, Semicera’s SiC pin trays ensure uniform etching, minimize contamination, and improve overall process reliability, contributing to high-quality LED production.
Descripción del Producto
Nuestra compañía proporciona servicios de procesos de recubrimiento SIC mediante el método de CVD en la superficie del grafito, la cerámica y otros materiales, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora SIC.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación de alta temperatura:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura es tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: hecha por deposición de vapor químico en una condición de cloración de alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácido, álcali, sal y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales de recubrimiento CVD-SIC
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Propiedades de SIC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase FCC β |
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Densidad |
g/cm ³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza de Vickers |
2500 |
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Tamaño de grano |
mm |
2~10 |
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Pureza química |
% |
99.99995 |
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Capacidad de calor |
J · KG-1 · K-1 |
640 |
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Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
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Fuerza del felexural |
MPA (RT 4 puntos) |
415 |
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Módulo de Young |
GPA (4pt Bend, 1300 ℃) |
430 |
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Expansión térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Conductividad térmica |
(W/mk) |
300 |
