Como fabricante, proveedor y exportador profesional chino de revestimiento cerámico de carburo de silicio. El recubrimiento cerámico de carburo de silicio de Semicera se usa ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores, especialmente en procesos de procesamiento como CVD y PECV. Semicera se compromete a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de semiconductores y agradece sus consultas adicionales.
El revestimiento cerámico de carburo de silicio Semicera es un revestimiento protector de alto rendimiento fabricado con un material de carburo de silicio (SiC) extremadamente duro y resistente al desgaste. El recubrimiento generalmente se deposita sobre la superficie del sustrato mediante un proceso CVD o PVD con partículas de carburo de silicio, lo que proporciona una excelente resistencia a la corrosión química y estabilidad a altas temperaturas. Por lo tanto, el recubrimiento cerámico de carburo de silicio se usa ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores.
En la fabricación de semiconductores, el recubrimiento de SiC puede soportar temperaturas extremadamente altas de hasta 1600 °C, por lo que el recubrimiento cerámico de carburo de silicio se utiliza a menudo como capa protectora para equipos o herramientas para evitar daños en entornos corrosivos o de alta temperatura.
Al mismo tiempo, el revestimiento cerámico de carburo de silicio puede resistir la erosión de ácidos, álcalis, óxidos y otros reactivos químicos, y tiene una alta resistencia a la corrosión de una variedad de sustancias químicas. Por lo tanto, este producto es adecuado para diversos entornos corrosivos en la industria de semiconductores.
Además, en comparación con otros materiales cerámicos, el SiC tiene una mayor conductividad térmica y puede conducir el calor de forma eficaz. Esta característica determina que en procesos de semiconductores que requieren un control preciso de la temperatura, la alta conductividad térmica del recubrimiento cerámico de carburo de silicio ayuda a dispersar uniformemente el calor, evitar el sobrecalentamiento local y garantizar que el dispositivo funcione a la temperatura óptima.
|
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD sic. |
|
|
Propiedad |
Valor típico |
|
Estructura cristalina |
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
|
Densidad |
3,21 g/cm³ |
|
Dureza |
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
|
Tamaño del grano |
2~10μm |
|
Pureza química |
99.99995% |
|
Capacidad calorífica |
640 J·kg -1 ·K -1 |
|
Temperatura de sublimación |
2700℃ |
|
Resistencia a la flexión |
415 MPa RT de 4 puntos |
|
Módulo de Young |
430 Gpa curva de 4 puntos, 1300℃ |
|
Conductividad térmica |
300W·m -1 ·K -1 |
|
Expansión Térmica (CTE) |
4,5×10 -6 K -1 |
