El disco recubierto de carburo de silicio de Semicera para MOCVD está diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional en procesos de deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD). Con un revestimiento duradero de carburo de silicio, este disco ofrece una excelente estabilidad térmica, una resistencia química superior y una distribución uniforme del calor, lo que garantiza condiciones óptimas para la producción de semiconductores y LED. Con la confianza de los líderes de la industria, los discos recubiertos de carburo de silicio de Semicera mejoran la eficiencia y confiabilidad de sus procesos MOCVD, brindando resultados consistentes y de alta calidad.
El Disco de Carburo de Silicio para MOCVD de semicera, una solución de alto rendimiento diseñada para una eficiencia óptima en los procesos de crecimiento epitaxial. El disco de carburo de silicio semicera ofrece estabilidad térmica y precisión excepcionales, lo que lo convierte en un componente esencial en los procesos de epitaxia de Si y epitaxia de SiC. Diseñado para soportar las altas temperaturas y las exigentes condiciones de las aplicaciones MOCVD, este disco garantiza un rendimiento confiable y una larga vida útil.
Nuestro disco de carburo de silicio es compatible con una amplia gama de configuraciones MOCVD, incluidos los sistemas susceptores MOCVD, y admite procesos avanzados como GaN en epitaxia de SiC. También se integra perfectamente con los sistemas PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier, mejorando la precisión y la calidad de su producción de fabricación. Ya sea que se utilice para la producción de silicio monocristalino o aplicaciones de susceptor epitaxial LED, este disco garantiza resultados excepcionales.
Además, el disco de carburo de silicio de semicera se adapta a varias configuraciones, incluidas las configuraciones de Susceptor Pancake y Susceptor Barrel, lo que ofrece flexibilidad en diversos entornos de fabricación. La inclusión de piezas fotovoltaicas amplía aún más su aplicación a las industrias de energía solar, convirtiéndolas en un componente versátil e indispensable para el crecimiento epitaxial moderno y la fabricación de semiconductores.
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
|
Cantidad (piezas) |
1-1000 |
>1000 |
| Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |
