Epitaxia de carburo de silicio: capas epitaxiales de alta calidad diseñadas para aplicaciones de semiconductores avanzadas, que ofrecen rendimiento y confiabilidad superiores para dispositivos optoelectrónicos y electrónicos de potencia.
Semiceras Epitaxia de carburo de silicio está diseñado para satisfacer las rigurosas demandas de las aplicaciones modernas de semiconductores. Al utilizar técnicas avanzadas de crecimiento epitaxial, nos aseguramos de que cada capa de carburo de silicio muestre una calidad cristalina excepcional, uniformidad y una densidad mínima de defectos. Estas características son cruciales para desarrollar electrónica de potencia de alto rendimiento, donde la eficiencia y la gestión térmica son primordiales.
El Epitaxia de carburo de silicio El proceso en Semicera está optimizado para producir capas epitaxiales con un espesor preciso y control de dopaje, lo que garantiza un rendimiento constante en una variedad de dispositivos. Este nivel de precisión es esencial para aplicaciones en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y comunicaciones de alta frecuencia, donde la confiabilidad y la eficiencia son fundamentales.
Además, Semicera Epitaxia de carburo de silicio Ofrece una conductividad térmica mejorada y un voltaje de ruptura más alto, lo que lo convierte en la opción preferida para dispositivos que funcionan en condiciones extremas. Estas propiedades contribuyen a prolongar la vida útil de los dispositivos y mejorar la eficiencia general del sistema, particularmente en entornos de alta potencia y alta temperatura.
Semicera también ofrece opciones de personalización para Epitaxia de carburo de silicio , lo que permite soluciones personalizadas que cumplen con los requisitos específicos del dispositivo. Ya sea para investigación o producción a gran escala, nuestras capas epitaxiales están diseñadas para respaldar la próxima generación de innovaciones en semiconductores, permitiendo el desarrollo de dispositivos electrónicos más potentes, eficientes y confiables.
Al integrar tecnología de punta y estrictos procesos de control de calidad, Semicera garantiza que nuestros Epitaxia de carburo de silicio Los productos no sólo cumplen sino que superan los estándares de la industria. Este compromiso con la excelencia hace que nuestras capas epitaxiales sean la base ideal para aplicaciones de semiconductores avanzadas, allanando el camino para avances en electrónica de potencia y optoelectrónica.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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