Placa portadora RTA de carburo de silicio para semiconductores

El carburo de silicio es un nuevo tipo de cerámica con un alto costo y excelentes propiedades de material. Debido a características como alta resistencia y dureza, resistencia a altas temperaturas, gran conductividad térmica y resistencia a la corrosión química, el carburo de silicio puede resistir casi todos los medios químicos. Por lo tanto, el SiC se utiliza ampliamente en la minería petrolera, la industria química, la maquinaria y el espacio aéreo, incluso la energía nuclear y el ejército tienen demandas especiales sobre el SIC. Algunas aplicaciones normales que podemos ofrecer son anillos de sellado para bombas, válvulas y armaduras protectoras, etc. Podemos diseñar y fabricar de acuerdo con sus dimensiones específicas con buena calidad y plazos de entrega razonables.

Descripción

Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC.

Características principales

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas.:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina Fase β de la FCC
Densidad gramos/cm³ 3.21
Dureza Dureza Vickers 2500
Tamaño de grano milímetros 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidad calorífica J·kg-1·K-1 640
Temperatura de sublimación 2700
Fuerza flexural MPa (RT 4 puntos) 415
Módulo de Young Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) 430
Expansión Térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductividad térmica (W/mK) 300

Lugar de trabajo Semicera

Lugar de trabajo semicera 2

maquina de equipo

Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD

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