Calentadores recubiertos de Silicon Carbide SIC

Silicon carbide heater is coated with metal oxide, that is, far infrared paint silicon carbide plate as a radiation element, in the element hole (or groove) into the electric heating wire, in the bottom of the silicon carbide plate put thicker insulation, refractory, heat insulation material, and then installed on the metal shell, the terminal can be used to connect the power supply.

When the far infrared ray of the silicon carbide heater radiates to the object, it can absorb, reflect and pass through. The heated and dried material absorbs far-infrared radiation energy at a certain depth of internal and surface molecules at the same time, producing a self-heating effect, so that the solvent or water molecules evaporate and heat evenly, thus avoiding deformation and qualitative change due to different degrees of thermal expansion, so that the appearance of the material, physical and mechanical properties, fastness and color remain intact.

Descripción

 

 

 

 

 

Nuestra compañía proporciona servicios de procesos de recubrimiento SIC mediante el método de CVD en la superficie del grafito, la cerámica y otros materiales, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora SIC.

 

 

 

 

 

 

SiC Heating Element (17)

 

 

 

 

 

SiC Heating Element (22)

 

 

 

 

 

SiC Heating Element (23)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Características principales

 

 

 

 

 

1. Resistencia a la oxidación de alta temperatura:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura es tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: hecha por deposición de vapor químico en una condición de cloración de alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácido, álcali, sal y reactivos orgánicos.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Especificaciones principales de recubrimiento CVD-SIC

 

 

 

 

 

Propiedades de SIC-CVD

Estructura cristalina FCC β phase
Densidad g/cm ³ 3.21
Dureza Dureza de Vickers 2500
Tamaño de grano μm 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidad de calor J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura de sublimación 2700
Fuerza del felexural MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Expansión térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductividad térmica (W/mk) 300

 

 

 

 

 

 

 

 

Lugar de trabajo de semicera

 

 

 

Semicera Work Place 2

 

 

 

Máquina de equipos

 

 

 

Procesamiento de CNN, limpieza química, recubrimiento de CVD

 

 

 

Casa de Ware de Semicera

 

 

 

Nuestro servicio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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