Semicera Energy Technology Co., Ltd. es un proveedor líder especializado en obleas y consumibles semiconductores avanzados. Nos dedicamos a proporcionar productos innovadores, confiables y de alta calidad para la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica y otros campos relacionados. Nuestra línea de productos incluye productos cerámicos y de grafito recubiertos de SiC/TaC, que abarcan diversos materiales como carburo de silicio, nitruro de silicio y óxido de aluminio, etc. La longitud máxima del recubrimiento de SiC que podemos hacer es 2640 mm.
El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), campo eléctrico de alta ruptura (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características sobresalientes.
Los dispositivos de SiC tienen ventajas irremplazables en el campo de los dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta presión, alta frecuencia y alta potencia y aplicaciones ambientales extremas como aeroespacial, militar, energía nuclear, etc., compensan los defectos de los dispositivos de materiales semiconductores tradicionales en aplicaciones prácticas y se están convirtiendo gradualmente en la corriente principal de los semiconductores de potencia.
Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 4H-SiC
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Artículo |
Especificacionesparámetros |
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politipo |
4H-SiC |
6H-SiC |
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Diámetro |
2 pulgadas | 3 pulgadas | 4 pulgadas | 6 pulgadas |
2 pulgadas | 3 pulgadas | 4 pulgadas | 6 pulgadas |
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Espesor |
330 micras ~ 350 micras |
330 micras ~ 350 micras |
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Conductividad |
N – tipo / Semiaislante |
N – tipo / Semiaislante |
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dopante |
N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio ) |
N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio ) |
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Orientación |
En el eje <0001> |
En el eje <0001> |
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Resistividad |
0,015 ~ 0,03 ohmios-cm |
0,02 ~ 0,1 ohmios-cm |
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Densidad de microtubos (MPD) |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
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televisión |
≤ 15 micras |
≤ 15 micras |
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Arco / Deformación |
≤25 micras |
≤25 micras |
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Superficie |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
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Calificación |
Grado de producción/investigación |
Grado de producción/investigación |
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Secuencia de apilamiento de cristales |
ABCB |
ABCABC |
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Parámetro de celosía |
a=3,076A, c=10,053A |
a=3,073A, c=15,117A |
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Eg/eV (banda prohibida) |
3,27 eV |
3,02 eV |
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ε(Constante dieléctrica) |
9.6 |
9.66 |
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Índice de refracción |
n0 =2,719 ne =2,777 |
n0 =2,707, ne =2,755 |
Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 6H-SiC
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Artículo |
Especificacionesparámetros |
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politipo |
6H-SiC |
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Diámetro |
4 pulgadas | 6 pulgadas |
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Espesor |
350 μm ~ 450 μm |
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Conductividad |
N – tipo / Semiaislante |
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dopante |
N2 (nitrógeno) |
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Orientación |
<0001> apagado 4°± 0,5° |
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Resistividad |
0,02 ~ 0,1 ohmios-cm |
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Densidad de microtubos (MPD) |
≤ 10/cm2 |
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televisión |
≤ 15 micras |
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Arco / Deformación |
≤25 micras |
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Superficie |
Cara Si: CMP, Epi-Ready |
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Calificación |
Grado de investigación |
