Oblea aislante de silicio

La oblea de silicio sobre aislante (SOI) de Semicera proporciona un aislamiento eléctrico y una gestión térmica excepcionales para aplicaciones de alto rendimiento. Diseñadas para ofrecer una eficiencia y confiabilidad superiores al dispositivo, estas obleas son una excelente opción para la tecnología de semiconductores avanzada. Elija Semicera para soluciones de obleas SOI de vanguardia.

La oblea de silicio sobre aislante (SOI) de Semicera está a la vanguardia de la innovación en semiconductores y ofrece un aislamiento eléctrico mejorado y un rendimiento térmico superior. La estructura SOI, que consta de una fina capa de silicio sobre un sustrato aislante, proporciona beneficios críticos para dispositivos electrónicos de alto rendimiento.

Nuestras obleas SOI están diseñadas para minimizar la capacitancia parásita y las corrientes de fuga, lo cual es esencial para desarrollar circuitos integrados de alta velocidad y baja potencia. Esta tecnología avanzada garantiza que los dispositivos funcionen de manera más eficiente, con mayor velocidad y menor consumo de energía, algo crucial para la electrónica moderna.

Los avanzados procesos de fabricación empleados por Semicera garantizan la producción de obleas SOI con excelente uniformidad y consistencia. Esta calidad es vital para aplicaciones en telecomunicaciones, automoción y electrónica de consumo, donde se requieren componentes confiables y de alto rendimiento.

Además de sus beneficios eléctricos, las obleas SOI de Semicera ofrecen un aislamiento térmico superior, mejorando la disipación de calor y la estabilidad en dispositivos de alta densidad y alta potencia. Esta característica es particularmente valiosa en aplicaciones que implican una generación significativa de calor y requieren una gestión térmica eficaz.

Al elegir la oblea aislante de silicio de Semicera, invierte en un producto que respalda el avance de tecnologías de vanguardia. Nuestro compromiso con la calidad y la innovación garantiza que nuestras obleas SOI cumplan con las rigurosas demandas de la industria de semiconductores actual, proporcionando la base para los dispositivos electrónicos de próxima generación.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0.15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

&lt;1 unidad/cm2

&lt;10 c/cm2

&lt;15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10atoms/cm2

N / A

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

N / A

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

N / A

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm)

N / A

Arañazos

≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

N / A

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

N / A

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro

N / A

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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