Los sustratos de silicio Semicera están diseñados con precisión para aplicaciones de alto rendimiento en la fabricación de electrónica y semiconductores. Con una pureza y uniformidad excepcionales, estos sustratos están diseñados para soportar procesos tecnológicos avanzados. Semicera garantiza calidad y confiabilidad constantes para sus proyectos más exigentes.
Los sustratos de silicio Semicera están diseñados para satisfacer las rigurosas demandas de la industria de semiconductores, ofreciendo calidad y precisión incomparables. Estos sustratos proporcionan una base confiable para diversas aplicaciones, desde circuitos integrados hasta células fotovoltaicas, lo que garantiza un rendimiento y una longevidad óptimos.
La alta pureza de los sustratos de silicio Semicera garantiza defectos mínimos y características eléctricas superiores, que son fundamentales para la producción de componentes electrónicos de alta eficiencia. Este nivel de pureza ayuda a reducir la pérdida de energía y mejorar la eficiencia general de los dispositivos semiconductores.
Semicera emplea técnicas de fabricación de última generación para producir sustratos de silicio con una uniformidad y planitud excepcionales. Esta precisión es esencial para lograr resultados consistentes en la fabricación de semiconductores, donde incluso la más mínima variación puede afectar el rendimiento y el rendimiento del dispositivo.
Disponibles en una variedad de tamaños y especificaciones, los sustratos de silicio Semicera satisfacen una amplia gama de necesidades industriales. Ya sea que esté desarrollando microprocesadores o paneles solares de última generación, estos sustratos brindan la flexibilidad y confiabilidad necesarias para su aplicación específica.
Semicera se dedica a apoyar la innovación y la eficiencia en la industria de los semiconductores. Al proporcionar sustratos de silicio de alta calidad, permitimos a los fabricantes superar los límites de la tecnología y ofrecer productos que satisfagan las demandas cambiantes del mercado. Confía en Semicera para tus soluciones electrónicas y fotovoltaicas de última generación.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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