Diseñado específicamente para máquinas ASM, admite obleas de 8 pulgadas, con una precisión de temperatura de ±1℃. La cavidad CVD hermética garantiza un crecimiento epitaxial de alta pureza. Sistema de control inteligente integrado, que mejora la tasa de rendimiento al 99,97 %, compatible con la fabricación de dispositivos de energía/BiCMOS y compatible con entornos de sala limpia.
Las ventajas de los ASM (Materiales Semiconductores Avanzados) en el campo de las Herramientas de Epitaxia se concentran principalmente en los siguientes aspectos:
1. Tecnología líder y equipos maduros
ASM es particularmente reconocida por sus series de máquinas epitaxiales Aixtron y Epsilon, y tiene productos maduros en el campo del crecimiento epitaxial para sistemas de múltiples materiales como silicio monocristalino, SiC (carburo de silicio) y GaN (nitruro de galio). En particular
Serie Epsilon (horno de un solo chip): ampliamente utilizada en epitaxia de silicio (Si EPI), es reconocida por su control preciso del espesor, uniformidad y baja densidad de defectos.
La serie Aixtron (MOCVD): centrada en la epitaxia de semiconductores compuestos (como GaN, SiC EPI), es adecuada para industrias como dispositivos de potencia, LED y láseres.
2. Excelente uniformidad entre piezas y control de espesor.
Los dispositivos epitaxiales de ASM generalmente tienen:
Excelente uniformidad: La uniformidad dentro del chip (WIW) y la uniformidad entre chips (WIF) se controlan dentro de un rango de error estrecho, lo que facilita el control posterior del proceso.
Espesor y precisión de dopaje excepcionales: líder en la industria en términos de control de espesor (como capas EPI de 1 a 10 μm de espesor) y consistencia de dopaje (boro, fósforo, arsénico).
3. Alta capacidad y bajo costo de propiedad (COO)
Los hornos verticales de chips múltiples de ASM (como los hornos verticales) son particularmente adecuados para la producción en masa a gran escala, son capaces de procesar de 50 a 200 obleas en un solo lote y son aplicables a líneas de producción sensibles a los costos.
La serie Epsilon de un solo chip es adecuada para la producción en lotes pequeños de productos de alta precisión, con conversión flexible y fácil mantenimiento.
4. Rápida expansión de la epitaxia de SiC.
ASM está expandiendo activamente el mercado epitaxial de SiC:
Adquisición de LPE SpA, ampliando la reserva técnica de equipos epitaxiales de SiC;
Los dispositivos SiC EPI de ASM admiten altas tasas de crecimiento (>30 μm/h), control de defectos bajos (BPD, TSD) y están optimizados específicamente para los requisitos de dispositivos de potencia como MOSFET y diodos Schottky.
