Solid CVD SiC Rings are mainly composed of silicon carbide (SiC), and have excellent physical and chemical properties. Silicon carbide is a ceramic material with a high melting point, high hardness and excellent corrosion resistance. It exhibits excellent thermal conductivity, chemical stability and mechanical strength at high temperatures, and has excellent wear and abrasion resistance.
Solid CVD SiC rings are widely used in industrial and scientific fields in high temperature, corrosive and abrasive environments. It plays an important role in multiple application areas, including:
1. Semiconductor manufacturing: Solid CVD SiC rings can be used for heating and cooling of semiconductor equipment, providing stable temperature control to ensure the accuracy and consistency of the process.
2. Optoelectronics: Due to its excellent thermal conductivity and high temperature resistance, Solid CVD SiC rings can be used as support and heat dissipation materials for lasers, fiber optic communication equipment and optical components.
3. Precision machinery: Solid CVD SiC rings can be used for precision instruments and equipment in high temperature and corrosive environments, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors.
4. Chemical industry: Solid CVD SiC rings can be used in containers, pipes and reactors in chemical reactions and catalytic processes due to their corrosion resistance and chemical stability.
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Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%.
