Semicera provides high-quality Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is precision manufactured and strictly quality controlled to ensure its durability and reliability, which can be widely used in semiconductor manufacturing and other related fields. You can buy solid silicon carbide (SiC) etching rings from our factory with confidence. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
The Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings offered by Semicera are manufactured by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method and are an outstanding result in the field of precision etching process applications. These Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings are known for their excellent hardness, thermal stability and corrosion resistance, and the superior material quality is ensured by CVD synthesis.
Designed specifically for etching processes, the Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings’ rugged structure and unique material properties play a key role in achieving precision and reliability. Unlike traditional materials, the solid SiC component has unparalleled durability and wear resistance, making it an indispensable component in industries that require precision and long life.
Our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings are precision manufactured and quality controlled to ensure their superior performance and reliability. Whether in semiconductor manufacturing or other related fields, these Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings can provide stable etching performance and excellent etching results.
If you are interested in our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring, please contact us. Our team will provide you with detailed product information and professional technical support to meet your needs. We look forward to establishing a long-term partnership with you and jointly promoting the development of the industry.
✓Top-quality in China market
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Susceptor de crecimiento de la epitaxia
Las obleas de carburo de silicio/silicio deben pasar por múltiples procesos para usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/SiC, en la que las obleas de silicio/SiC se llevan a cabo en una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portadora planetaria mueve la oblea de sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad de recubrimiento, lo que a su vez afecta la velocidad de desecho del chip. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de las obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos cubrir casi cualquier componente con un recubrimiento de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 m, aún podemos cubrir con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión de oxidación requiere una alta pureza de productos, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento personalizado y CVD para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la lechada de carburo de silicio procesada en bruto de semicea y el tubo de horno de carburo de silicio que se limpia en los 1000-nivel sin polvo habitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes de recubrir. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99.99%, y la pureza del recubrimiento SIC es mayor que 99.99995%.
