El susceptor de grafito MOCVD LED UV profundo recubierto de TaC de Semicera está diseñado para un rendimiento superior en aplicaciones de epitaxia MOCVD. Fabricado en China, ofrece mayor durabilidad y mayor resistencia a temperaturas, lo que lo hace ideal para condiciones exigentes. La avanzada tecnología de recubrimiento de Semicera garantiza un funcionamiento confiable y eficiente, lo que respalda la producción de LED UV profundo de alta calidad.
La base de grafito LED ultravioleta profundo recubierta de TaC se refiere al proceso de mejorar el rendimiento y la estabilidad del dispositivo depositando un recubrimiento de TaC sobre la base de grafito durante la preparación del dispositivo LED ultravioleta profundo. Este recubrimiento puede mejorar el rendimiento de disipación de calor, la resistencia a altas temperaturas y la resistencia a la oxidación del dispositivo, mejorando así la eficiencia y confiabilidad del dispositivo LED. Los dispositivos LED ultravioleta profundos se utilizan generalmente en algunos campos especiales, como desinfección, fotopolimerización, etc., que tienen altos requisitos para la estabilidad y el rendimiento del dispositivo. La aplicación de una base de grafito recubierta de TaC puede mejorar eficazmente la durabilidad y el rendimiento del dispositivo, proporcionando un apoyo importante para el desarrollo de la tecnología LED ultravioleta profunda.
Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes. El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, estabilidad a alta temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (susceptor de TaC recubierto de grafito) y extendiendo la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología de CVD TaC con los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de usar TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Simicera para el crecimiento de monocristales.
Además, los productos recubiertos de TaC de Semicera exhiben una vida útil más larga y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación con Recubrimientos de SiC. Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestros recubrimientos TaC pueden funcionar consistentemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación se muestran algunos ejemplos de nuestras muestras.:
