The TaC Coated Epi Wafer Carrier by Semicera is engineered for superior performance in epitaxial processes. Its tantalum carbide coating offers exceptional durability and high-temperature stability, ensuring optimal wafer support and enhanced production efficiency. Semicera’s precision manufacturing guarantees consistent quality and reliability in semiconductor applications.
TaC coated epitaxial wafer carriers are usually used in the preparation of high-performance optoelectronic devices, power devices, sensors and other fields. This epitaxial wafer carrier refers to the deposition of TAC thin film on the substrate during the crystal growth process to form a wafer with specific structure and performance for subsequent device preparation.
Chemical vapor deposition (CVD) technology is usually used to prepare TaC coated epitaxial wafer carriers. By reacting metal organic precursors and carbon source gases at high temperature, a TaC film can be deposited on the surface of the crystal substrate. This film can have excellent electrical, optical and mechanical properties and is suitable for the preparation of various high-performance devices.
Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo tantalum (TAC) para varios componentes y portadores. El proceso de recubrimiento principal de semicera permite que los recubrimientos de carburo tantálio (TAC) logren una alta pureza, estabilidad de alta temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GaN y las capas EPI (Susceptor TAC recubierto de grafito), y extendiendo la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TAC TAC Tantalum es resolver el problema del borde y mejorar la calidad del crecimiento de los cristales, y las semicera han resuelto la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología de CVD TAC con los esfuerzos conjuntos del departamento de I + D. Los defectos son fáciles de ocurrir en el proceso de crecimiento de las obleas SIC, pero después de usar TAC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de las obleas con y sin TAC, así como las partes de Simicera para el crecimiento de un solo cristal.
Además, Semicera's Productos recubiertos de TAC exhibir una vida útil más larga y una mayor resistencia a alta temperatura en comparación con Recubrimientos sic. Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestro Recubrimientos TAC puede realizar constantemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación hay algunos ejemplos de nuestras muestras:
