Nuestra placa de grafito poroso recubierta con TaC está diseñada para aplicaciones de alto rendimiento en entornos térmicos y químicos extremos. Combinando la resistencia ligera y a altas temperaturas del grafito poroso con un recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) depositado químicamente con vapor, este producto ofrece un equilibrio único entre resistencia mecánica, resistencia a la oxidación y estabilidad estructural. Ideal para el crecimiento de cristales de SiC y entornos de grado semiconductor
|
Parámetro |
Especificación |
|
Materia prima |
Grafito poroso prensado isostático |
|
Densidad aparente |
1,8 – 2,1 g/cm³ |
|
Porosidad |
40 – 60% |
|
Rango de tamaño de poro |
50 – 200 micras |
|
Fuerza compresiva |
≥ 80 MPa (antes del recubrimiento) |
|
Método de recubrimiento |
Deposición química de vapor (CVD) |
|
Material de revestimiento |
Carburo de tantalio (TaC) |
|
Espesor del recubrimiento |
2 – 35 μm (con zona de transición de gradiente) |
|
Temperatura de trabajo |
Hasta 1800 °C en ambientes inertes o reductores |
|
Personalización |
Dimensiones, porosidad y espesor de recubrimiento disponibles |
El recubrimiento de TaC forma una capa protectora. Capa de vidrio Ta₂O₅ en condiciones oxidantes, reduciendo significativamente la tasa de oxidación.
A 800 °C en el aire:
• Grafito sin recubrimiento: 12 mg/cm²·h
• Placa recubierta de TaC: 0,3 mg/cm²·h
La microestructura de gradiente entre TaC y grafito reduce el estrés térmico interfacial hasta en 67% , evitando la delaminación o el agrietamiento bajo ciclos térmicos.
La resistencia mejoró 3 veces en las pruebas de Semicera Lab cuando la resistencia base ≥ 80 MPa.
Mantiene la estabilidad estructural bajo 1800°C / 10MPa , con Resistencia 8 veces más larga que las placas de grafito sin recubrimiento.
Resistente a H₂, HCl, NH₃ y otras atmósferas agresivas, lo que lo convierte en una opción confiable para MOCVD, PECVD y sistemas de hornos de alta pureza.
Industria de semiconductores
Placas portadoras MOCVD y bases susceptoras.
Crisoles, anillos guía y escudos térmicos en Crecimiento de cristales de SiC
Aeroespacial y Defensa
Componentes de aislamiento y barrera térmica de alta temperatura.
Sistemas de energía
Sustratos moderadores de neutrones y componentes de soporte de alta carga en condiciones de vacío/inertes
Personalización y pedidos
Formas y dimensiones personalizadas disponibles
Espesor y porosidad del recubrimiento adaptados a las necesidades de su proceso
Soporte para creación rápida de prototipos y producción en volumen
Todas las placas se producen bajo sistemas que cumplen con ISO, utilizando precursores ultrapuros y reactores de grado CVD para garantizar una calidad constante, una adhesión repetible del recubrimiento y una integridad superficial superior.
